[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法有效
申请号: | 201910219792.4 | 申请日: | 2019-03-21 |
公开(公告)号: | CN109830495B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 邱海军;何月娣;唐国强;张振华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;H04N5/232 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 成丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 成像 | ||
本申请公开了阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法。该阵列基板包括:衬底基板;设置在衬底基板上方的多个成像小孔和传感器单元,其中,成像小孔位于传感器单元的上方,且每个成像小孔与每个传感器单元一一对应。根据本申请实施例的技术方案,通过增设成像小孔层和图像形成层,将摄像功能集成在显示屏中,避免了占用显示装置的边框位置,有利于实现窄边框和全面屏。
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域,尤其涉及阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法。
背景技术
随着智能终端的快速发展,用户对终端设备的显示界面,提出了窄边框、全面屏等需求。但是,屏占比问题一直找不到更好的解决方案。例如有些厂商提出了升降式、弹出式摄像头,但这些方案难以避免的存在机械结构成本高、及镜头防尘等诸多问题。
现有技术中前置摄像头装置通常设置在显示装置的边框位置,这种结构设置不利于窄边框和全面屏的发展。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种阵列基板及制备方法、显示装置及成像方法,可使得包含本申请实施例提供的阵列基板的显示装置在显示区域具备摄像功能,从而提高了显示装置的屏占比。
第一方面,本申请实施例提供了一种阵列基板,其包括
衬底基板;
设置在衬底基板上方的多个成像小孔和传感器单元,其中,成像小孔位于传感器单元的上方,且每个成像小孔与每个传感器单元一一对应。
例如,该阵列基板中,传感器单元设置成不同的厚度。
例如,阵列基板还包括:设置在衬底基板上方的用于遮光的金属层,则成像小孔位于该金属层中。
例如,阵列基板还包括:设置在衬底基板上方的第一源极漏极金属层和第二源极漏极金属层,则成像小孔位于所述第二源极漏极金属层中。
例如,阵列基板还包括:设置在衬底基板上方的像素界定层,在像素界定层上设置多个开口;
开口的在衬底基板上的正投影与成像小孔的在衬底基板上的正投影不重叠。
例如,阵列基板还包括:
设置在像素界定层下方的平坦层;
成像小孔贯穿像素界定层和平坦层,或者贯穿平坦层。
例如,该阵列基板中,成像小孔的厚度为3~4微米;和/或,成像小孔的直径为5~10微米。
第二方面,本申请实施例提供了一种阵列基板的制备方法,其包括:
在衬底基板上通过蒸镀工艺形成多个传感器单元;
在传感器单元的上方,通过构图工艺形成金属层,在金属层中形成多个成像小孔,其中,每个成像小孔与每个传感器单元一一对应。
例如,该方法中,传感器单元包括通过蒸镀工艺形成不同的厚度的感光层。
例如,该方法中,在传感器单元的上方通过构图工艺形成用于遮光的金属层,则成像小孔位于该金属层中。
例如,该方法中,在用于遮光的金属层的上方通过构图工艺形成第一源极漏极金属层和第二源极漏极金属层,则成像小孔位于第二源极漏极金属层中。
例如,该方法中,通过构图工艺在衬底基板上方形成像素界定层;
在像素界定层上形成多个开口,开口的在衬底基板上的正投影与成像小孔的在衬底基板上的正投影不重叠。
例如,该方法中,通过构图工艺在像素界定层下方形成平坦层;
通过刻蚀工艺使得成像小孔贯穿像素界定层和平坦层,或者贯通平坦层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的