[发明专利]一种用于数字集成电路的标准单元的版图结构在审
| 申请号： | 201910219950.6 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109977531A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王晶晶;张丽;岳金明;陈力颖 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功能电路 接触孔 输出端 输入端 数字集成电路 版图结构 标准单元 导电沟道 第一层 电源线 纳米线 地线 分立 源极 金属 栅极形成 地电压 晶体管 扩散层 漏极 源区 供电 输出 | ||
1.一种用于数字集成电路的标准单元的版图结构，包括电源线和地线，以及由第一层金属层形成的输入端和输出端。其功能电路进一步包括至少一个P沟道晶体管和至少一个N沟道晶体管。其中P沟道晶体管包含有源区和有源区上方的栅极，栅极两侧的有源区为P沟道晶体管的源极和漏极。N沟道晶体管包含N型扩散区，有源区和有源区上方的栅极，栅极两侧的有源区为N沟道晶体管的源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的一种用于数字集成电路的标准单元的版图结构，其特征在于，所述的电源线由位于P沟道晶体管上方的有源区和第一层金属形成，通过接触孔连接P沟道晶体管的源极，用于向所述的P沟道晶体管提供电源电压。所述的地线由位于N沟道晶体管下方的有源区和第一层金属形成，通过接触孔连接N沟道晶体管的源极，用于向所述的N沟道晶体管提供地电压。
3.根据权利要求1所述的一种用于数字集成电路的标准单元的版图结构，其特征在于，所述的输入端由栅极形成，通过接触孔连接第一层金属，所述的输出端由P沟道晶体管的漏极和N沟道晶体管的漏极形成，通过接触孔连接第一层金属。其中所述的输入端和输出端构成了所述的功能电路的输入端和输出端。
4.根据权利要求1所述的一种用于数字集成电路的标准单元的版图结构，其特征在于，其晶体管沟道位于栅极下方的有源区上，其沟道在有源区上的形状为多条分立的纳米线。
5.根据权利要求1所述的一种用于数字集成电路的标准单元的版图结构，其特征在于，所述的功能电路的P沟道晶体管不含扩散层，N沟道晶体管中只含有一N型扩散层。
6.根据权利要求1所述的一种用于数字集成电路的标准单元的版图结构，其特征在于，版图的关键参数包括标准单元的高度，电源线，地线的宽度，有源区的高度，栅极的长度，有源区纳米线的宽度，其中栅极的长度小于45nm，纳米线的宽度小于22nm。
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