[发明专利]钨膜的成膜方法及控制装置

权利要求书

1.一种钨膜的成膜方法，其是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜的成膜方法具备如下工序：

在所述贯穿部的基底的露出面、侧壁和所述膜的上表面上形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在所述基底的露出面上比在所述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序，其中，所述阻挡金属膜相对于所述基底表面的培养时间比所述阻挡金属膜相对于所述膜的表面的培养时间短；和，

供给氯化钨气体及对所述氯化钨气体进行还原的还原气体，选择性地形成钨膜的工序，其包括，相对薄地成膜的所述侧壁和所述上表面上的阻挡金属膜被蚀刻后去除，以残留于所述基底的露出面上的阻挡金属膜为基点，选择性地成膜为钨膜，其中，所述阻挡金属膜的蚀刻和在所述阻挡金属膜上所述钨膜的成膜同时进行。

2.根据权利要求1所述的钨膜的成膜方法，其中，所述阻挡金属膜为氮化钛膜或氮化钽膜。

3.根据权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其中，所述基底为硅，且所述膜为硅氧化膜。

4.根据权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其中，所述形成钨膜的工序是基于使用有氯化钨气体及还原气体的ALD法的工序。

5.根据权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其中，所述形成钨膜的工序是在根据在所述贯穿部的侧壁上所成膜的氮化钛膜的膜厚而确定的温度下形成所述钨膜的工序。

6.根据权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其中，在所述形成钨膜的工序之后，还具备在所述贯穿部嵌入钨膜的工序。

7.根据权利要求6所述的钨膜的成膜方法，其中，所述嵌入钨膜的工序在与所述形成钨膜的工序不同的工艺条件下进行。

8.根据权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其中，所述氯化钨气体为WCl₆气体或WCl₅气体。

9.根据权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其中，所述还原气体是从H₂气、SiH₄气体、B₂H₆气体及NH₃气中选择的至少1种。

10.根据权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其中，所述贯穿部的剖面形状是中心部的宽度比所述膜的表面侧的宽度还宽。

11.根据权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其中，所述贯穿部为沟槽或孔。

12.一种控制装置，其通过控制成膜装置的各部的动作来执行在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述控制装置执行如下工序：

在所述贯穿部的基底的露出面、侧壁和所述膜的上表面上形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在所述基底的露出面上比在所述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序，其中，所述阻挡金属膜相对于所述基底表面的培养时间比所述阻挡金属膜相对于所述膜的表面的培养时间短；和，

供给氯化钨气体及对所述氯化钨气体进行还原的还原气体，选择性地形成钨膜的工序，其包括，相对薄地成膜的所述侧壁和所述上表面上的阻挡金属膜被蚀刻后去除，以残留于所述基底的露出面上的阻挡金属膜为基点，选择性地成膜为钨膜，其中，所述阻挡金属膜的蚀刻和在所述阻挡金属膜上所述钨膜的成膜同时进行。