[发明专利]钨膜的成膜方法及控制装置有效

申请号：	201910220826.1	申请日：	2019-03-22
公开（公告）号：	CN110359027B	公开（公告）日：	2022-08-09
发明（设计）人：	成岛健索;平松永泰;松本淳志;堀田隼史	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	C23C16/14	分类号：	C23C16/14;C23C16/455;H01L21/768
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	方法控制装置
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【说明书】：

本发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜的成膜方法具备如下工序：在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序；和，供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体，在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。

技术领域

本公开涉及钨膜的成膜方法及控制装置。

背景技术

已知有能够在高纵横比的沟槽或孔的内部不产生空隙地嵌入钨膜的成膜方法(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2015-514160号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的成膜方法中，在沟槽或孔为复杂的形状(例如樽型)的情况下，难以在沟槽或孔的内部不产生空隙地嵌入钨膜。

本公开提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。

用于解决问题的方案

基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜的成膜方法具备如下工序：在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序；和，供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体，在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。

发明的效果

根据本公开，能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜。

附图说明

图1是表示钨膜的成膜方法的一个例子的流程图。

图2是表示钨膜的成膜方法的一个例子的工序剖面图。

图3是表示培养时间的表面依赖性的一个例子的图。

图4是表示TiN膜的膜厚与钨膜的膜厚的关系的一个例子的图。

图5是表示钨膜的成膜温度与TiN膜的蚀刻量的关系的一个例子的图。

图6是表示用于实施形成TiN膜的工序的成膜装置的一个例子的概略图。

图7是表示ALD工艺中的气体供给顺序的一个例子的图。

图8是表示用于实施形成钨膜的工序的成膜装置的一个例子的概略图。

图9是表示ALD工艺中的气体供给顺序的一个例子的图。