[发明专利]不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物

权利要求书

1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，包含：

有机酸化合物的阴离子；

磺酸化合物的阴离子；

硝酸根离子；

硫酸根离子；

包含氮的二羰基化合物；以及

余量的水，

所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸化合物的阴离子选自由醋酸盐、苹果酸盐、柠檬酸盐、酒石酸盐、乳酸盐、甲酸盐、琥珀酸盐及富马酸盐组成的组。

3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸化合物的阴离子，包含：

第一有机酸化合物的阴离子，选自由醋酸盐、乳酸盐、甲酸盐及它们的混合物组成的组；以及

第二有机酸化合物的阴离子，选自由柠檬酸盐、苹果酸盐、酒石酸盐、琥珀酸盐、富马酸盐及它们的混合物组成的组。

4.根据权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述第一有机酸化合物的阴离子为醋酸盐，第二有机酸化合物的阴离子为柠檬酸盐。

5.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于100重量百分比的所述蚀刻液组合物，醋酸盐的含量为15重量百分比至25重量百分比，柠檬酸盐的含量为20重量百分比至25重量百分比。

6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述磺酸化合物的阴离子选自由甲磺酸盐、对甲苯磺酸盐、苯磺酸盐、氨基甲磺酸盐、氨基磺酸盐及它们的混合物组成的组。

7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于100重量百分比的所述蚀刻液组合物，包含1重量百分比至10重量百分比的磺酸化合物的阴离子、1重量百分比至20重量百分比的硝酸根离子、10重量百分比至20重量百分比的硫酸根离子、2重量百分比至10重量百分比的包含氮的二羰基化合物及余量的水。

8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述硫酸根离子选自由硫酸、硫酸氢铵、硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸铵、硫酸钾、硫酸钠及它们的混合物组成的组失去氢离子后的阴离子形态。

9.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述包含氮的二羰基化合物为选自由天冬酰胺、亚氨基二乙酸、2,4-咪唑啉二酮、丁二酰亚胺、戊二酰亚胺、谷氨酸、天门冬氨酸、焦谷氨酸、马尿酸及它们的混合物组成的组中的两种以上。

10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含0.01重量百分比至2重量百分比的金属离子，所述金属离子选自由铁离子、镁离子、铜离子及它们的混合物组成的组。

11.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物不包含磷酸盐。

12.根据权利要求10所述的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于100重量百分比的所述铁离子与硝酸根离子，所述铁离子的含量为0.23重量百分比至3.93重量百分比，相对于100重量百分比的所述铜离子与硝酸根离子，所述铜离子的含量为0.34重量百分比至5.76重量百分比，相对于100重量百分比的所述镁离子与硝酸根离子，所述镁离子的含量为0.16重量百分比至2.79重量百分比，所述铁离子与硝酸根离子的重量比是99：1。

13.根据权利要求7所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含0.01重量百分比至2重量百分比的金属离子。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物用于蚀刻氧化铟锡膜、银膜或它们的合金膜。