[发明专利]不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物

说明书

本发明公开了一种制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物及利用此的金属配线形成方法。提供一种蚀刻液组合物，包含：所述有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，并且所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。

技术领域

本发明涉及不包含磷酸盐的氧化铟锡/银(ITO/Ag)多层膜蚀刻液组合物，更详细地，涉及当制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物。

背景技术

目前，显示器市场的趋势(Trend)已呈现出液晶显示器(LCD)的局限点，并且由于有机发光二极管(OLED)的优点，有机发光二极管的开发和各种范围的应用正在被越来越多的尝试。

有机发光二极管是一种具有很多优点的显示器装置。与液晶显示器相比，有机发光二极管的对比度、视角、响应速度更优秀，并可以使显示器装置的厚度更薄，而且由于宽视角及形态变形自由，也可适用于柔性显示器。

而且，有机发光二极管在结构上不使用背光模组(Back light unit，BLU)和彩色滤光片(Color Filter)。这是因为有机发光二极管为自身发光元件，因而不额外需要用于产生其他规定的光的装置。因此，在有机发光二极管中，为了防止光损失，使用包含银(Ag)的氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)多层膜来构成特定配线。ITO是Idium Tin Oxide的简称，是一种透明且导电的物质。氧化烟锡电导率优秀、带隙(Band-gap)为2.5eV以上，可在可见光区域表现出高透射性，因此用于各种显示器面板、电磁波屏蔽膜(Film)、有机电致发光(EL)等。而且，与其他透明电极材料相比，电极图案加工性优秀、化学稳定性和热稳定性突出、涂敷(Coating)时电阻低。并且，银的电阻率低、亮度高且电导率高，因此在构成有机发光二极管的配线方面具有有利的优点。

但是，在使用含有银的氧化铟锡/银/氧化铟锡膜的情况下，使用现有的蚀刻液组合物会导致在配线蚀刻工序时形成氧化铟锡/银/氧化铟锡的大的切割尺寸偏斜(Cutdimension skew，CD-Skew)，致使配线宽度的余量差，并且根据蚀刻工序环境，不均匀的切割尺寸偏斜的形成导致配线均匀度不良。而且，因不均匀蚀刻的发生，可能产生银残渣，并且可与构成下层配线的金属进行反应，产生还原性银析出物。存在银残渣与析出物会产生称之为暗点的不合格的问题。尤其，在诱发银还原性析出物的下部配线的情况下，以包含铝(Al)的钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)配线为主，并且在使用现有的蚀刻液组合物来进行蚀刻工序的情况下，铝会损伤(Damage)，当发生铝损伤(Al Damage)时，通过所产生的电子来与银离子进行反应，从而成为诱发银还原性析出物的主要原因。虽然所述铝损伤，但钛(Ti)没有损伤，因此上层钛像尖(Tip)一样突出的钛尖(Ti Tip)在蚀刻工序之后断裂，并朝向主要配线部移动，从而成为暗点与配线不良的原因。这由特定组成成分引起，因此需要开发一种不含有特定组成成分的新型蚀刻液。

发明内容

需要解决的课题

因此，本发明的目的在于，提供一种组合物，即，不包含磷酸盐，而且即使统一蚀刻氧化铟锡/银/氧化铟锡配线，小的切割尺寸偏斜与经时性也得到提高。

本发明的另一目的在于，提供一种组合物，即，不存在因银的蚀刻率高而导致银残渣的问题，而且不发生铝损伤、析出及钛尖。

课题的解决手段

为达成所述目的，本发明提供一种蚀刻液组合物，其包含：有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。