[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘层；导电部件，设于所述绝缘层内；芯片，配置于所述绝缘层的第一面上，并连接于所述导电部件；以及电极，经由电阻率比所述导电部件的电阻率高的阻挡层连接于所述导电部件，且至少一部分从所述绝缘层的第二面突出。

技术领域

实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

以往以来，在印刷基板上层叠多张存储器芯片，制造了由树脂模制而成的半导体装置。在印刷基板的下表面接合凸块，并经由该凸块将半导体装置安装于电子设备等。另一方面，由于近年要求半导体装置的低高度化，因此提出了代替印刷基板而使用再布线层的技术。在再布线层的上表面搭载存储器芯片，在再布线层的下表面接合凸块。

发明内容

实施方式的半导体装置具备：绝缘层；导电部件，设于所述绝缘层内；芯片，配置于所述绝缘层的第一面上，并连接于所述导电部件；以及电极，经由电阻率比所述导电部件的电阻率高的阻挡层连接于所述导电部件，且至少一部分从所述绝缘层的第二面突出。

实施方式的半导体装置的制造方法具备：在支承基板上，形成剥离层、第一阻挡层、导电层以及第二阻挡层的工序；在所述第二阻挡层上形成形成有第一开口部的第一绝缘层的工序；通过将所述第一绝缘层作为掩模实施蚀刻，从而在所述第二阻挡层形成与所述第一开口部连通的第二开口部的工序；在所述第二开口部内及所述第一开口部的下部内形成电极的工序；在所述第一开口部的上部的内表面上形成第三阻挡层的工序；在所述第一开口部的上部内形成第一导块，并且在所述第一绝缘层上形成电阻率比所述第三阻挡层的电阻率低的布线的工序；在所述布线上形成形成有第三开口部的第二绝缘层的工序；在所述第三开口部内形成与所述布线连接的第二导块的工序；将芯片连接于所述第二导块的工序；通过去除所述剥离层来去除所述支承基板的工序；以及去除所述第一阻挡层、所述导电层以及所述第二阻挡层的工序。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的剖面图。

图2是表示图1的区域A的局部放大剖面图。

图3是表示图1的区域B的局部放大剖面图。

图4是表示接合有凸块的实施方式的半导体装置的剖面图。

图5是表示图4的区域C的局部放大剖面图。

图6(a)～(d)是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图。

图7(a)～(d)是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图。

图8(a)～(d)是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图。

图9是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图。

图10是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图。

图11是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图。

图12(a)是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图，(b)是表示(a)的区域D的局部放大剖面图。

图13(a)是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图，(b)是表示(a)的区域E的局部放大剖面图。

图14是表示比较例的半导体装置的剖面图。

具体实施方式

以下，对实施方式进行说明。

图1是表示本实施方式的半导体装置的剖面图。

图2是表示图1的区域A的局部放大剖面图。

图3是表示图1的区域B的局部放大剖面图。