[发明专利]具有增加的侧面数量的传送腔室、半导体装置制造处理工具和处理方法在审
申请号: | 201910222186.8 | 申请日: | 2014-11-03 |
公开(公告)号: | CN110085535A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 迈克尔·罗伯特·赖斯;迈克尔·迈尔斯;约翰·J·马佐科;迪安·C·赫鲁泽克;迈克尔·库查尔;苏斯汉特·S·科希特;潘查拉·N·坎卡纳拉;埃里克·A·恩格尔哈特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧面 传送腔室 半导体装置 处理工具 耦接 配置 单个机械手 处理基板 处理腔室 传送单元 多个基板 方法描述 锁定腔室 通路单元 传送腔 制造 装载 传送 室内 | ||
1.一种处理工具,包括:
一个或更多个装载锁定腔室;
通路单元;
第一传送腔室,所述第一传送腔室耦接在所述一个或更多个装载锁定腔室与所述通路单元之间;和
第二传送腔室,所述第二传送腔室耦接至所述通路单元;
其中配置用来接收位于所述第一传送腔室与所述第二传送腔室之间的处理腔室的侧面的总数量为至少10个,并且分别使用位于所述第一传送腔室中的第一单个机械手和位于所述第二传送腔室中的第二单个机械手执行所述第一传送腔室和所述第二传送腔室各自内部的传送作业。
2.如权利要求1所述的处理工具,其中所述通路单元包括两个通路位置。
3.如权利要求1所述的处理工具,其中所述通路单元包括三个通路位置。
4.如权利要求1所述的处理工具,其中所述第一传送腔室包括第一长侧面,所述第一长侧面被配置成耦接至接口单元。
5.如权利要求1所述的处理工具,其中所述第一传送腔室包括第二长侧面,所述第二长侧面被配置成耦接至所述通路单元。
6.如权利要求1所述的处理工具,其中所述第一传送腔室的侧面的总数量为六个。
7.如权利要求1所述的处理工具,其中所述第二传送腔室的侧面的总数量为八个或更多个。
8.如权利要求1所述的处理工具,其中所述第一传送腔室被配置成耦接至接口单元。
9.如权利要求8所述的处理工具,其中所述接口单元包括后接口开口,所述后接口开口被配置成允许在工厂接口与所述接口单元之间传送基板。
10.如权利要求9所述的处理工具,其中所述接口单元包括前区域,所述前区域配置成与所述第一传送腔室的延伸侧面耦接。
11.如权利要求8所述的处理工具,其中所述接口单元包括设置在所述接口单元内的多个接口侧面,并且所述多个接口侧面各自包括狭缝开口,所述狭缝开口配置成适于在所述第一传送腔室与所述一个或更多个装载锁定腔室之间进行基板传送。
12.如权利要求8所述的处理工具,其中所述接口单元包括定位在所述接口单元内的除气腔室或其他处理腔室。
13.一种接口单元,包括:
接口主体,所述接口主体包括:前区域,所述前区域包括多个接口侧面,所述前区域配置成耦接至传送腔室;和后区域,所述后区域配置成耦接至工厂接口;和
三个装载锁定腔室,所述三个装载锁定腔室形成在所述接口主体中。
14.如权利要求13所述的接口单元,包括位于所述三个装载锁定腔室的每一个中的两个装载锁定腔室。
15.如权利要求13所述的接口单元,包括后接口开口,所述后接口开口被配置成允许在所述工厂接口与所述接口单元之间传送基板。
16.如权利要求13所述的接口单元,其中所述前区域包括三个接口侧面,所述接口侧面配置成与所述传送腔室的第一组侧面耦接。
17.如权利要求13所述的接口单元,包括设置在所述接口单元内的多个接口侧面,所述多个接口侧面各自包括狭缝开口,所述狭缝开口配置成适于在所述传送腔室与所述三个装载锁定腔室之间进行基板传送。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造