[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括第一电极层，其特征在于，所述第一电极层包括：

氧化铟锡层，设置在一基板之上，包括颗粒状氧化铟锡，位于不同位置的所述的颗粒状氧化铟锡的大小不同，以改变不同波长的光的出光效率；

平坦化层，设于所述氧化铟锡层远离所述基板的一侧，且所述平坦化层填充至少部分所述颗粒状氧化铟锡之间的间隙，所述平坦化层能够导电；

绝缘层，设于所述基板与所述氧化铟锡层之间，所述颗粒状氧化铟锡与所述绝缘层接触；

所述阵列基板还包括；

有机发光层，设于所述平坦化层远离所述氧化铟锡层的一侧。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括出光区域和非出光区域，位于出光区域的氧化铟锡层为颗粒状氧化铟锡。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层的材料包括PEDOT:PSS。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化铟锡层的厚度大于等于10nm小于等于30nm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第二电极层，设于所述有机发光层远离所述平坦化层的一侧；

封装层，设于所述第二电极层远离所述有机发光层的一侧。

6.一种阵列基板的制备方法，包括形成第一电极层，其特征在于，所述形成第一电极层包括：

提供一基板；

在所述基板上形成氧化铟锡层，并对所述氧化铟锡层进行颗粒化处理形成颗粒状氧化铟锡；

在所述氧化铟锡层远离所述基板的一侧形成平坦化层，且所述平坦化层填充至少部分所述颗粒状氧化铟锡之间的间隙，所述平坦化层能够导电；

其中，在所述基板上形成氧化铟锡层，并对所述氧化铟锡层进行颗粒化处理形成颗粒状氧化铟锡之前还包括：

在所述基板上形成绝缘层，所述氧化铟锡层与所述绝缘层接触，且所述颗粒状氧化铟锡与所述绝缘层接触；

所述阵列基板的制备方法还包括：

在所述平坦化层远离所述氧化铟锡层的一侧形成有机发光层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述基板上形成氧化铟锡层，并对所述氧化铟锡层进行颗粒化处理形成颗粒状氧化铟锡，包括：

利用预设浓度的稀盐酸对所述氧化铟锡层进行腐蚀预设时间得到所述颗粒状氧化铟锡。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述氧化铟锡层远离所述基板的一侧形成平坦化层，且所述平坦化层填充至少部分所述颗粒状氧化铟锡之间的间隙，所述平坦化层能够导电，包括：

采用喷墨工艺将液态PEDOT:PSS材料采用喷墨工艺在氧化铟锡层远离所述基板的一侧形成所述平坦化层。

9.根据权利要求6～8任意一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成第一电极层之后，所述阵列基板的制备方法还包括：

在所述有机发光层远离所述平坦化层的一侧形成第二电极层；

在所述第二电极层远离所述有机发光层的一侧形成封装层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1～5任意一项所述的阵列基板。