[发明专利]封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，其包含：

一半导体元件；

一氧化物层，其设置于该半导体元件上，该氧化物层设有至少二容置空间；

至少二金属件，其分别设置于该至少二容置空间内；以及

一第一绝缘层，其设置于该氧化物层上。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，其中，该至少二金属件之一的一侧设有一第一间隙。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包含一第二间隙，其设置于该第一绝缘层与该至少二金属件之一之间，并该第二间隙并未接触该至少二金属件之一。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，其中，该第一间隙的下方设置一第三间隙，该第三间隙设置于该氧化物层与该至少二金属件之一之间。

5.一种封装结构，其特征在于，其包含：

一基板；

一氧化物层，其设置于该基板上，该氧化物层设有至少二容置空间；

至少二金属件，其分别设置于该至少二容置空间内；以及

一第一绝缘层，其设置于该氧化物层上。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，其中，该基板包含一P型半导体与一N型半导体。

7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，其中，该至少二金属件之一与该基板之间设有一第二绝缘层，该第二绝缘层上设有一电路层。

8.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，其中，该基板上更设有一第二绝缘层，该第二绝缘层上设有一电路层。

9.根据权利要求5、6、7或8所述的封装结构，其特征在于，其中，该第一绝缘层与该至少二金属件之一的一侧设有一第四间隙。

10.根据权利要求5、6、7或8所述的封装结构，其特征在于，进一步包含一第五间隙，其设置于该第一绝缘层与该至少二金属件之一之间，并该第五间隙并未接触该至少二金属件之一。

11.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，其中，该第四间隙的下方设置一第六间隙，该第六间隙设置于该氧化物层与该至少二金属件之一之间。

12.根据权利要求5、7或8所述的封装结构，其特征在于，其中，该基板为导电基板。

13.一种封装结构的制造方法，其特征在于，其步骤包含：

提供一半导体元件；

在该半导体元件上设置一氧化物层；

于该半导体元件上形成一图形，该图形对应于至少二金属件，该图形的面积大于该至少二金属件的面积；

去除该氧化物层；

于该氧化物层上设置一绝缘层；以及

设置该至少二金属件于该半导体元件上。

14.根据权利要求13所述的封装结构的制造方法，其特征在于，其中，于该芯片上涂布该氧化物层及该绝缘层时采用旋转涂布。