[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

本发明关于一种封装结构及其制造方法，其中封装结构包含至少二金属件设置于基板或半导体元件上，并在金属件周围设有图案层与绝缘层，金属件相对于图案层与绝缘层具有一间隙，藉此避免金属件于接合电路时溢出，进而避免短路或漏电流的情况发生。

技术领域

本发明关于一种半导体结构及其制造方法，尤指一种封装结构及其制造方法。

背景技术

在半导体封装产业中广泛地采用锡球接合，以形成一电性连接于集成电路晶粒与一晶粒载体(诸如一引线框架或一基板)之间的电连接。习用锡球接合程序为使用加热、压力及超音波能量的一或其组合来形成一连接线与一连接垫之间的一金属连接或焊接。然而，随着近年来可携式电子产品的蓬勃发展，各类相关产品的开发亦朝向高密度、高性能以及轻、薄、短、小的趋势，各态样的堆栈封装(package on package，简称PoP)也因而锡球接合方式较难以符合轻薄短小与高密度的要求。

因此，遂发展出使半导体元件搭载于配线基板的方法，而半导体元件采用覆晶连接于配线基板。配线基板用于连接半导体元件的平面上设有具有复数个半导体元件连接垫。该些个半导体元件连接垫用以提供配线基板电性连接半导体元件的电极连接垫，且半导体元件的电极连接垫对应的并排配设。其中无论是配线基板上的半导体元件连接垫或者是半导体元件的电极连接垫，皆为低融熔温度的金属所制成，因此接合时为将配线基板上的半导体元件连接垫与是半导体元件的电极连接垫加热至软化而接近液态，而用于接合。

然而，就此连接方式却衍生出另一问题，接近液态而软化的连接垫因压合而接合的过程中，容易导致软化的连接垫溢出部分金属块或部分金属条，因而导致漏电流或短路的情况产生。

针对上述的问题，本发明提供一种封装结构及其制造方法，其提供金属件于半导体元件或基板上，而与绝缘层之间具有间隙，以提供缓冲空间，避免溢出部分金属块或部分金属条。

发明内容

本发明的一目的，在于提供一种封装结构及其制造方法，其提供金属件相对于绝缘层与图案层具有一间隙，而避免金属件溢出。

本发明揭示一种封装结构，其包含一半导体元件；一氧化物层，其设置于该半导体元件上，该氧化物层设有至少二容置空间；至少二金属件，其分别设置于该至少二容置空间内；一第一绝缘层，其设置于该氧化物层上。

本发明的一实施例中，其亦揭露该至少二金属件之一的一侧设有一第一间隙。

本发明的一实施例中，其亦揭露该进一步包含一第二间隙，其设置于该第一绝缘层与该至少二金属件之一之间，并该第二间隙并未接触该至少二金属件之一。

本发明的一实施例中，其亦揭露该该第一间隙的下方设置一第三间隙，该第三间设置于该氧化物层与该至少二金属件之一之间。

本发明揭示一种封装结构，其包含一基板；一氧化物层，其设置于该基板上，该氧化物层设有至少二容置空间；至少二金属件，其分别设置于该至少二容置空间内；一第一绝缘层，其设置于该氧化物层上。

本发明的一实施例中，其亦揭露该该基板包含一P型半导体与一N型半导体。

本发明的一实施例中，其亦揭露该至少二金属件之一与该基板之间设有一第二绝缘层，该第二绝缘层上设有一电路层。

本发明的一实施例中，其亦揭露该基板上更设有一电路层。

本发明的一实施例中，其亦揭露该第一绝缘层与该至少二金属件之一的一侧设有一第四间隙。

本发明的一实施例中，其亦揭露进一步包含一第五间隙，其设置于该第一绝缘层与该至少二金属件之一之间，并该第五间隙并未接触该至少二金属件之一。

本发明的一实施例中，其亦揭露该第四间隙的下方设置一第六间隙，该第六间隙设置于该氧化物层与该至少二金属件之一之间。