[发明专利]线圈的制备方法及线圈

说明书

本申请公开了一种线圈的制备方法及线圈。该方法基于预处理的基板进行，基板包括基板主体和线圈单元，线圈单元的下端面固定在基板主体的上端面上，线圈单元包括铜线绕制而成的铜线圈，相邻两圈铜线之间填充有光阻，方法包括以下步骤：第一次电镀：利用第一电镀液在铜线圈上进行第一次镀铜；除光阻：利用光阻清洗液除去光阻，暴露出光阻下方的基板主体表面的金属层；去底铜：利用铜腐蚀液去除铜层，暴露出铜层下方的镍铬合金层；去镍铬合金层：利用镍铬合金腐蚀液去除镍铬合金层；第二次电镀：利用第二电镀液在铜线圈上进行第二次镀铜，完成制备。本申请解决了现有的线圈制备方法无法制备性能优良的窄线宽、窄线距、高厚度的线圈的技术问题。

技术领域

本申请涉及电镀铜领域，具体而言，涉及一种线圈的制备方法及线圈。

背景技术

随着电子元器件的逐步发展，对其加工工艺提出了更高的要求。尤其对于那些被动元器件中的线圈，线圈高度大，通常高度都大于100微米，线圈的线宽/线距极小，通常小于30微米/30微米，这种线圈没办法采用曝光-显影-蚀刻的办法来制备。但是采用半加成法来制备线圈，也同样存在曝光显影难度大的问题，光阻太厚，曝光不良，显影不净的问题无法克服。即使勉强采用传统的半加成法来制备线圈，采用电镀工艺对电感线圈进行电镀增高，会造成线圈之间的短路、夹膜，更严重会损害电子元器件，这就对传统的工艺技术带来了巨大的挑战。

综上所述，设计一种制备方法简单、工艺难度低的电镀工艺，能够满足制备窄线宽、窄线距、高厚度的线圈的技术要求，成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种线圈的制备方法，以解决现有的线圈制备方法无法制备性能优良的窄线宽、窄线距、高厚度的线圈的技术问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种线圈的制备方法，该方法基于预处理的基板进行，所述基板包括基板主体和线圈单元，所述线圈单元的下端面固定在所述基板主体的上端面上，所述线圈单元包括铜线绕制而成的铜线圈，相邻两圈铜线之间填充有光阻，所述方法包括以下步骤：第一次电镀：利用第一电镀液在所述铜线圈上进行第一次镀铜；除光阻：利用光阻清洗液除去所述光阻，暴露出所述光阻下方的基板主体表面的铜层；去底铜：利用铜腐蚀液去除所述铜层，暴露出所述铜层下方的镍铬合金层；去镍铬合金层：利用镍铬合金腐蚀液去除所述镍铬合金层；第二次电镀：利用第二电镀液在所述铜线圈上进行第二次镀铜，完成制备。

进一步的，所述铜线圈的宽度为50-80微米，所述光阻的宽度为20-50微米。

进一步的，所述光阻的高度比所述铜线圈的高度高60-80微米。

进一步的，所述第一次电镀的电流密度为5-10ASD，第一电镀液的搅拌速度为25-100RPM；所述第二次电镀的电流密度为11-18ASD，第二电镀液保持静止。

进一步的，所述利用光阻清洗液除去所述光阻的操作为：将第一次电镀后的线圈单元浸泡在丙酮溶液中，超声清洗15-20分钟。

进一步的，所述铜腐蚀液的原料包括硫酸、过硫酸钠和铜离子含量为70g/L的硫酸铜原液，所述硫酸的浓度为10-30mL/L，所述过硫酸钠的浓度为40-60g/L，所述硫酸铜原液的浓度为200-400mL/L。

进一步的，所述镍铬合金腐蚀液的原料包括浓盐酸、浓硝酸和铜离子含量浓度为70g/L的硫酸铜原液，所述浓盐酸的浓度为600-800mL/L，所述浓硝酸的浓度为5-15mL/L，所述硫酸铜原液的浓度为0.5-2mL/L。

进一步的，所述第一电镀液的原料包括硫酸、硫酸铜、光亮剂、抑制剂和整平剂，所述硫酸的浓度为10-30mL/L，所述硫酸铜的浓度为50-70g/L，所述光亮剂的浓度为2-6mL/L，所述抑制剂的浓度为2-6mL/L，所述整平剂的浓度为0.5-10mL/L。