[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：

基底；

栅极，形成于所述基底上；

绝缘层，覆盖所述栅极；

有源层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层形成于所述绝缘层上，所述第一氧化物半导体层与所述绝缘层直接接触，所述第二氧化物半导体层叠设于所述第一氧化物半导体层上，所述第一氧化物半导体层的含氧量高于所述第二氧化物半导体层的含氧量，所述第二氧化物半导体层的载流子迁移率高于所述第一氧化物半导体层的载流子迁移率；以及

源极和漏极，形成于所述第二氧化物半导体层上并与所述第二氧化物半导体层连接，所述第二氧化物半导体层与所述源极和漏极直接接触。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一氧化物半导体层为第一铟镓锌氧化物膜层，所述第二氧化物半导体层为第二铟镓锌氧化物膜层。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一氧化物半导体层的厚度小于所述第二氧化物半导体层的厚度。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一氧化物半导体层的厚度范围为7nm～12nm，所述第二氧化物半导体层的厚度范围为33nm～48nm。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还包括：

保护层，覆盖于所述第二氧化物半导体层上，所述保护层形成有贯穿所述保护层的接触孔；所述源极和所述漏极形成于所述保护层上，所述源极和所述漏极通过所述接触孔与所述第二氧化物半导体层连接。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述保护层包括氧化铝。

7.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：

基底；

栅极，形成于所述基底上；

绝缘层，覆盖所述栅极；

有源层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层形成于所述绝缘层上，所述第一氧化物半导体层与所述绝缘层直接接触，所述第二氧化物半导体层叠设于所述第一氧化物半导体层上，所述第一氧化物半导体层为第一铟镓锌氧化物膜层，所述第二氧化物半导体层为第二铟镓锌氧化物膜层，所述第一氧化物半导体层的厚度范围为7nm～12nm，所述第二氧化物半导体层的厚度范围为33nm～48nm，所述第二氧化物半导体层的载流子迁移率高于所述第一氧化物半导体层的载流子迁移率；

保护层，覆盖于所述第二氧化物半导体层上，所述保护层形成有贯穿所述保护层的接触孔；以及

源极和漏极，形成于所述保护层上，所述源极和所述漏极通过所述接触孔与所述第二氧化物半导体层连接，所述第二氧化物半导体层与所述源极和漏极直接接触。

8.一种薄膜晶体管基板制备方法，其特征在于，包括：

提供基底并在所述基底上形成栅极，在所述栅极上覆盖绝缘层；

充入反应气体进行第一次磁控溅射，所述反应气体包括氧气，在所述绝缘层上形成第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层与所述绝缘层直接接触；

降低所述氧气的流量进行第二次磁控溅射，在所述第一氧化物半导体层上形成第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层的载流子迁移率高于所述第一氧化物半导体层的载流子迁移率；以及

在所述第二氧化物半导体层上形成与所述第二氧化物半导体层直接接触的源极和漏极。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板制备方法，其特征在于，

在形成所述源极和所述漏极之前，还包括：在所述第二氧化物半导体层上覆盖保护层，在所述保护层上形成贯穿所述保护层的接触孔；

所述源极和所述漏极形成于所述保护层上且通过所述接触孔与所述第二氧化物半导体层连接。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板制备方法，其特征在于，所述第一次磁控溅射和所述第二次磁控溅射的溅射功率和溅射压强相同，所述溅射功率范围为135W～145W，所述溅射压强范围为0.4Pa～0.5Pa，所述第一次磁控溅射过程中的氧气流量范围为1.5sccm～2.5sccm，所述第二次磁控溅射过程中的氧气流量范围为0.5sccm～1.5sccm，所述第一次磁控溅射的时间范围为75s～129s，所述第二次磁控溅射的时间范围为335s～516s。