[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法

说明书

本申请涉及一种薄膜晶体管基板及其制备方法，该薄膜晶体管基板包括：基底；栅极，形成于基底上；绝缘层，覆盖栅极；有源层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层形成于绝缘层上，第二氧化物半导体层叠设于第一氧化物半导体层上，第一氧化物半导体层的含氧量高于第二氧化物半导体层的含氧量；以及源极和漏极，形成于第二氧化物半导体层上。在本申请中，有源层包括含氧量相对较高的第一氧化物半导体层和含氧量相对较低的第二氧化物半导体层，可以同时提高沟道区的电子传输能力和降低有源层与绝缘层之间的界面态密度。

技术领域

本申请涉及显示领域，特别是涉及一种薄膜晶体管基板及其制备方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下简称TFT)基板上形成有薄膜晶体管，薄膜晶体管具体包括依次叠设的栅极、绝缘层、有源层以及形成于有源层上的源极和漏极，位于源漏之间的有源区即为沟道区。由于金属氧化物具有迁移率高、大面积均匀性好以及开口率高等诸多优势，目前有源层的材料大多选用金属氧化物。以金属氧化物作为有源层时，为了提高沟道区的电子传输能力，一般形成含氧量较低的有源层，有源层的含氧量越低，有源层中载流子的迁移率越高，其电子传输能力越强。然而，金属氧化物的含氧量越高，其与绝缘层的界面态密度越大，又进一步限制薄膜晶体管的电流开关比，若为降低有源层与绝缘层接触面的界面态密度而减少金属氧化物的含氧量，又会降低沟道区载流子的迁移率。

发明内容

基于此，有必要针对在TFT基板中，薄膜晶体管使用氧化物半导体层作为有源层时，减小有源层与绝缘层之间的界面态密度和提高沟道区载流子的迁移率相矛盾的问题，提出一种薄膜晶体管基板及其制备方法。

一种薄膜晶体管基板，包括：

基底；

栅极，形成于所述基底上；

绝缘层，覆盖所述栅极；

有源层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层形成于所述绝缘层上，所述第二氧化物半导体层叠设于所述第一氧化物半导体层上，所述第一氧化物半导体层的含氧量高于所述第二氧化物半导体层的含氧量；以及

源极和漏极，形成于所述第二氧化物半导体层上并与所述第二氧化物半导体层连接。

在其中一个实施例中，所述第一氧化物半导体层为第一铟镓锌氧化物膜层，所述第二氧化物半导体层为第二铟镓锌氧化物膜层。

在其中一个实施例中，所述第一氧化物半导体层的厚度小于所述第二氧化物半导体层的厚度。

在其中一个实施例中，所述第一氧化物半导体层的厚度范围为7nm～12nm，所述第二氧化物半导体层的厚度范围为33nm～48nm。

在其中一个实施例中，还包括：

保护层，覆盖于所述第二氧化物半导体层上，所述保护层形成有贯穿所述保护层的接触孔；所述源极和所述漏极形成于所述保护层上，所述源极和所述漏极通过所述接触孔与所述第二氧化物半导体层连接。

在其中一个实施例中，所述保护层包括氧化铝。