[发明专利]一种纳米压印模具及其制作方法和纳米压印方法

说明书

本发明公开了一种纳米压印模具及其制作方法和纳米压印方法，用于使得纳米压印模具脱模后无残胶留存，提升后续工艺的乾刻均匀性。其中的纳米压印模具，包括：支撑基底；压印层，所述压印层上背离所述支撑基板的一面具有与预设图形相对应的凸起结构，所述凸起结构对应的区域为吸光区域，相邻的凸起结构之间形成透光区域。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种纳米压印模具及其制作方法和纳米压印方法。

背景技术

纳米压印技术(NIL)作为一种直接利用机械接触挤压，使被压印材料在模板和基底之间发生再分布的方法，具有高分辨率(＜10nm)、工艺简单、成本低、产率高、可大规模生产等优点，成为最具前景的下一代光科技术，在显示、半导体等领域具有广泛的应用。

目前多采用紫外纳米压印工艺，即在衬底基板上涂覆压印胶，将纳米压印模具和衬底基板对准完成后，将纳米压印模具压入压印胶层并且照射紫外光使压印胶发生聚合反应硬化成形。在紫外纳米压印工艺中，由于压印时可能会导致压印胶受力不均等情况，经常会导致压印胶表面不平整，即脱模后存在残胶不均匀的现象。

为此，通常采用硬掩膜hardmask搭配二次乾刻的方式来改善残胶不均匀所造成的乾刻不良，增加了硬掩膜层的制备工艺和二次乾刻的工艺，从而增加了工艺的复杂度。

发明内容

本申请实施例提供一种纳米压印模具及其制作方法和纳米压印方法，用于使得纳米压印模具脱模后无残胶留存，提升后续工艺的乾刻均匀性。

第一方面，本申请实施例提供了一种纳米压印模具，该纳米压印模具包括：

支撑基底；

压印层，所述压印层上背离所述支撑基板的一面具有与预设图形相对应的凸起结构，所述凸起结构对应的区域为吸光区域，相邻的凸起结构之间形成透光区域。

本申请实施例提供的纳米压印模具的压印层上具有与预设图形相对应的凸起结构，该凸起结构对应的区域为吸光区域，相邻的凸起结构之间形成透光区域。当采用该纳米压印模具压印基板时，光线透过透光区域使得基板上的压印胶固化；而凸起结构吸收光线，从而透过吸光区域的光线较少，那么与吸光区域对应的压印胶就不会被固化，这样待压印压印胶后，可以直接通过溶剂溶解基板上未被固化的压印胶，以尽量避免基板脱模后存在残胶不均匀的现象。

在一种可能的实施方式中，所述支撑基底与所述压印层为一体成型结构，所述一体成型结构通过吸光材料制成；

其中，所述支撑基底的透光率大于或等于50％。

本申请实施例中，支撑基底和压印层可以是一体成型结构，以尽量简化制作压印层的工艺。

在一种可能的实施方式中，所述支撑基底为透光基底，所述压印层采用吸光材料制成。

本申请实施例中，支撑基底可以是透光基底，压印层采用吸光材料制成，这样位于压印层的相邻的凸起结构之间的透光区域的吸光材料较少，甚至没有吸光材料，以尽量提高光线透过透光区域的透过率，提高压印胶的固化效率。

在一种可能的实施方式中，所述压印层包括：

位于背离所述支撑基底的一面的结构层，其中，所述结构层具有与所述凸起结构相对应的遮光件，所述遮光件在所述支撑基底的正投影与所述吸光区域相互重合；

位于所述结构层中相邻的遮光件之间，以及位于所述结构层远离所述支撑基底一侧的平坦化层；

位于所述平坦化层远离所述支撑基底一侧，且具有所述凸起结构的凸起结构层。

在一种可能的实施方式中，所述遮光件为黑矩阵，或者，所述遮光件由吸光材料制成。