[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法有效
申请号: | 201910226229.X | 申请日: | 2019-03-25 |
公开(公告)号: | CN110379730B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 姜盛晧;金苍乭;韩星珉;金锡允;崔圣厦 | 申请(专利权)人: | 株式会社尤金科技 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 方法 | ||
1.一种衬底处理设备,包括:
反应管,具有形成于其中的内部空间;
衬底舟,配置成装载多个载台中的多个衬底,且定位于所述内部空间中以分隔成在其中分别处理所述多个衬底的多个处理空间;
工艺气体供应部件,配置成将工艺气体供应到所述多个处理空间;以及
稀释气体供应部件,配置成供应用于稀释所述多个处理空间内的所述工艺气体的稀释气体,
其中具有相较于所述多个衬底的较小表面积的虚设衬底各自装载在所述衬底舟的上端部分和下端部分上,
其中所述多个处理空间提供于所述衬底舟的所述上端部分与所述下端部分之间,且所述多个处理空间在装载所述多个衬底的方向上划分为上部处理空间、中心处理空间以及下部处理空间,
其中所述稀释气体供应部件包括:
上部稀释气体供应部件,具有第一竖直部分,其中对应于所述上部处理空间的上部稀释气体供应孔定义于所述第一竖直部分中,且所述第一竖直部分在装载所述多个衬底的所述方向上延伸;以及
下部稀释气体供应部件,具有第二竖直部分,其中对应于所述下部处理空间的下部稀释气体供应孔定义于所述第二竖直部分中,且所述第二竖直部分在装载所述多个衬底的所述方向上延伸,
其中所述第一竖直部分以及所述第二竖直部分延伸以具有在装载所述多个衬底的所述方向上的相同长度,
其中各自通过定义于所述第一竖直部分中的所述上部稀释气体供应孔以及定义于所述第二竖直部分中的所述下部稀释气体供应孔供应所述稀释气体至所述多个衬底的每一个上,以使得所述工艺气体的供应方向与所述稀释气体的供应方向在所述多个衬底的所述每一个上彼此交叉。
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备,还包括:
排气管道,与所述工艺气体供应部件相对设置,且形成为在装载所述多个衬底的所述方向上竖直地延伸;以及
排气端口,配置成与所述排气管道的下端连通,
所述工艺气体供应部件形成为在装载所述多个衬底的所述方向上竖直地延伸,且
所述工艺气体从所述工艺气体供应部件的下端流动到其上端,穿过所述多个处理空间中的每一个,从所述排气管道的上端流动到其下端,且经由所述排气端口排出。
3.根据权利要求1所述的衬底处理设备,还包括:
控制部件,连接到所述稀释气体供应部件,且配置成控制由所述稀释气体供应部件供应的所述稀释气体的量,
所述控制部件被配置成控制以使得由所述下部稀释气体供应部件供应的所述稀释气体的量大于由所述上部稀释气体供应部件供应的所述稀释气体的量。
4.根据权利要求1所述的衬底处理设备,还包括:
加热器部件,在装载所述多个衬底的所述方向上提供于所述反应管外部,且配置成加热所述多个处理空间,
所述加热器部件被配置成以比加热所述中心处理空间的温度低的温度来加热所述上部处理空间和所述下部处理空间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造