[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法有效
申请号: | 201910226229.X | 申请日: | 2019-03-25 |
公开(公告)号: | CN110379730B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 姜盛晧;金苍乭;韩星珉;金锡允;崔圣厦 | 申请(专利权)人: | 株式会社尤金科技 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 方法 | ||
本公开涉及一种衬底处理设备和衬底处理方法,且更确切地说涉及一种配置成在衬底上沉积均一薄膜的衬底处理设备和衬底处理方法。根据示范性实施例的衬底处理设备包含:反应管,具有形成于其中的内部空间;衬底舟,配置成装载多个载台中的多个衬底,且定位于内部空间中以分隔成在其中分别处理多个衬底的多个处理空间;工艺气体供应部件,配置成将工艺气体供应到多个处理空间;以及稀释气体供应部件,配置成供应用于稀释多个处理空间内的工艺气体的稀释气体。本公开可提供一种可使得分别沉积于衬底舟上所装载的多个衬底上的薄膜的厚度均一的衬底处理设备和衬底处理方法。
技术领域
本公开涉及一种衬底处理设备和衬底处理方法,且更确切地说涉及一种配置成在衬底上沉积均一薄膜的衬底处理设备和衬底处理方法。
背景技术
一般来说,衬底处理设备包含单晶片型衬底处理设备和批量型衬底处理设备,所述单晶片型衬底处理设备可对一个衬底执行衬底处理工艺,所述批量型衬底处理设备可对多个衬底同时执行衬底处理工艺。单晶片型衬底处理设备具有简单的装备配置,但不那么多产。因此,已普遍使用能够大批量生产的批量型衬底处理设备。
相关技术的批量型衬底处理设备各自包含:衬底舟,配置成装载多个衬底;反应管,配置成容纳衬底舟且在其上执行衬底处理工艺;气体供应部件,配置成将工艺气体供应到反应管的内部;以及排气部件,配置成排出反应管内剩余的气体。使用批量型衬底处理设备的此类衬底处理工艺执行如下。首先,将多个衬底载入到反应管。接着,气体供应部件将工艺气体供应到反应管的内部,而排气部件使反应管排气。在此,气体供应部件供应的工艺气体在衬底上形成薄膜,同时穿过对应衬底之间,且残余气体经由排气开口排出到排气部件。
然而,相关技术的批量型衬底处理设备将多个衬底装载在多个载台中的衬底舟上且在其上执行衬底处理工艺。因此,差异出现在处理多个衬底处的位置之间。此类差异使得在分别沉积于多个衬底上的薄膜的厚度之间出现差异。因此,当对批量型中的多个衬底执行处理工艺时,不能获得均一薄膜。
[相关技术文献]
[专利文献]
专利文献1:KR 10-1396602 B1
发明内容
本公开提供一种可使得分别沉积于衬底舟上所装载的多个衬底上的薄膜的厚度均一的衬底处理设备和衬底处理方法。
根据示范性实施例,衬底处理设备包含:反应管,具有形成于其中的内部空间;衬底舟,配置成装载多个载台中的多个衬底,且定位于内部空间中以分隔在其中分别处理多个衬底的多个处理空间;工艺气体供应部件,配置成将工艺气体供应到多个处理空间;以及稀释气体供应部件,配置成供应用于稀释多个处理空间内的工艺气体的稀释气体。
工艺气体供应部件可将工艺气体供应到多个处理空间中的每一个,且稀释气体供应部件可将稀释气体供应到多个处理空间的一部分。
多个处理空间可在装载多个衬底的方向上划分为上部处理空间、中心处理空间以及下部处理空间,且稀释气体供应部件可将稀释气体供应到上部处理空间及下部处理空间中的至少一个。
稀释气体供应部件可包含:上部稀释气体供应部件,具有对应于上部处理空间的上部稀释气体供应孔;以及下部稀释气体供应部件,具有对应于下部处理空间的下部稀释气体供应孔。
衬底处理设备可进一步包含:排气管道,与工艺气体供应部件相对设置,且形成为在其中装载多个衬底的方向上竖直地延伸;以及排气端口,配置成与排气管道的下端连通。工艺气体供应部件可形成为在装载多个衬底的方向上竖直地延伸,且工艺气体可从工艺气体供应部件的下端流动到其上端,可穿过多个处理空间中的每一个,可从排气管道的上端流动到其下端,且可经由排气端口排出。
虚设衬底可装载于衬底舟的上端部分和下端部分上,且多个处理空间可提供于衬底舟的上端部分与下端部分之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造