[发明专利]发光二极管芯片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：

S10，提供一衬底(10)，所述衬底(10)上依次制备N型半导体层(210)、发光层(220)以及P型半导体层(230)；

S20，在所述P型半导体层(230)远离所述衬底(10)的表面进行刻蚀至所述N型半导体层(210)，形成N型半导体台面(50)；

S310，提供隔离槽图形，并绘制隔离槽光刻版图；

S320，根据所述隔离槽光刻版图，将光刻胶旋涂于所述N型半导体台面(50)远离所述衬底(10)的表面；

S331，将设置有所述光刻胶的所述N型半导体台面(50)进行曝光；

S332，曝光后，对设置有所述光刻胶的所述N型半导体台面(50)冲洗10秒～50秒，冲洗后浸泡20秒～150秒；

S333，浸泡后将刻蚀有所述N型半导体台面(50)的所述衬底(10)进行以80℃～100℃的低温烘烤，时间控制在50秒～100秒范围内；

S334，将低温烘烤后的刻蚀有所述N型半导体台面(50)的所述衬底(10)进行以100℃～120℃的高温烘烤，时间控制在50秒～100秒范围内；

S335，依次连续重复所述S333和所述S334，并将高温烘烤后的所述N型半导体台面(50)进行干法刻蚀至所述衬底(10)，形成隔离槽(60)；

所述隔离槽(60)的侧壁(610)具有多个不同的斜面(611)，且相邻所述斜面(611)之间的角度不同，且相邻所述斜面(611)之间的角度为正角。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，将高温烘烤后的所述N型半导体台面(50)进行干法刻蚀时，所述光刻胶与N型半导体材料的刻蚀选择比小于1:1。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述隔离槽图形的宽度为3μm～12μm。

4.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，根据所述隔离槽光刻版图，将光刻胶旋涂于所述N型半导体台面(50)远离所述衬底(10)的表面时，所述光刻胶的厚度为6μm～12μm。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，形成所述隔离槽(60)的步骤之后还包括：

将所述P型半导体层(230)远离所述发光层(220)的部分表面沉积电流阻挡层(30)；

将所述电流阻挡层(30)远离所述P型半导体层(230)的表面以及所述P型半导体层(230)远离所述发光层(220)的表面沉积电流扩展层(40)，且所述电流扩展层(40)将所述电流阻挡层(30)覆盖；

将所述N型半导体台面(50)远离所述衬底(10)的部分表面沉积第一金属电极(710)，将所述电流扩展层(40)远离所述P型半导体层(230)的表面沉积第二金属电极(720)，且所述第二金属电极(720)与所述电流阻挡层(30)相对设置；

将所述电流扩展层(40)表面、所述N型半导体台面(50)表面以及所述隔离槽(60)表面沉积布拉格反射层(80)，且露出所述第一金属电极(710)与所述第二金属电极(720)；

在所述布拉格反射层(80)表面制作第一焊盘层(910)与第二焊盘层(920)，且所述第一焊盘层(910)将所述第一金属电极(710)覆盖实现电连接，所述第二焊盘层(920)将所述第二金属电极(720)覆盖实现电连接。