[发明专利]发光二极管芯片的制备方法

说明书

本申请提供一种发光二极管芯片的制备方法，当所述侧壁具有多个所述斜面时，所述侧壁的面积越大，从而所述侧壁面出光就会越多。同时，当所述侧壁具有多个所述斜面时，内部光入射到所述侧壁上的夹角就会越多，会增加取光，提高发光二极管芯片的亮度。多个所述斜面形成不同形貌的所述侧壁，可以使内部光线入射到所述侧壁产生不同的入射角，可以有更多的光取出，能够避免较多全反射。同时，通过所述发光二极管芯片的制备方法制备获得所述隔离槽的所述侧壁的相邻所述斜面之间的角度为正角，当后续制作的绝缘层可披覆在所述隔离槽上，进行较好的绝缘。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种发光二极管芯片的制备方法。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)是一种利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、高亮度、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点，随着研究的不断进展应用领域也越来越广。同时，为了避免侧壁漏电的发生，均采用隔离槽方式的制作工艺，刻蚀出侧壁隔离槽后在进行绝缘层沉积，避免侧壁漏电等失效发生。因此，隔离槽的侧壁的形貌状态对光电性能影响至关重要。

传统的发光二极管芯片的制备方法制备获得的发光二极管芯片的隔离槽侧壁面出光面积小，使得隔离槽侧壁面出光数量偏小，容易发生全反射，从而导致发光二极管芯片的发光效率较低。

发明内容

基于此，有必要针对传统的发光二极管芯片的发光效率较低的问题，提供一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片。

本申请提供一种发光二极管芯片的制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上依次制备N型半导体层、发光层以及P型半导体层；

在所述P型半导体层远离所述衬底的表面进行刻蚀至所述N型半导体层，形成N型半导体台面；

将所述N型半导体台面远离所述衬底的表面边缘进行刻蚀至所述衬底，形成隔离槽，所述隔离槽的侧壁具有多个斜面，且相邻所述斜面之间的角度为正角。

在一个实施例中，将所述N型半导体台面远离所述衬底的部分表面进行刻蚀至所述衬底，形成隔离槽的步骤，包括：

提供隔离槽图形，并绘制隔离槽光刻版图；

根据所述隔离槽光刻版图，将光刻胶旋涂于所述N型半导体台面远离所述衬底的表面；

将设置有所述光刻胶的所述N型半导体台面进行曝光、显影、烘烤以及干法刻蚀至所述衬底，形成所述隔离槽。

在一个实施例中，将设置有所述光刻胶的所述N型半导体台面进行曝光、显影、烘烤以及干法刻蚀至所述衬底，形成所述隔离槽的步骤，包括：

将设置有所述光刻胶的所述N型半导体台面进行曝光；

曝光后，对设置有所述光刻胶的所述N型半导体台面冲洗10秒～50秒，冲洗后浸泡20秒～150秒；

浸泡后将刻蚀有所述N型半导体台面的所述衬底进行以80℃～100℃的低温烘烤，时间控制在50秒～100秒范围内；

将低温烘烤后的刻蚀有所述N型半导体台面的所述衬底进行以100℃～120℃的高温烘烤，时间控制在50秒～100秒范围内；

将高温烘烤后的所述N型半导体台面进行干法刻蚀至所述衬底，形成所述隔离槽。

在一个实施例中，将高温烘烤后的所述N型半导体台面进行干法刻蚀时，所述光刻胶与N型半导体材料的刻蚀选择比小于1:1。

在一个实施例中，所述隔离槽图形的宽度为3μm～12μm。