[发明专利]一种存储器编程方法及相关装置有效
| 申请号： | 201910228457.0 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109979515B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;黄莹;魏文喆;王明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 编程 方法 相关 装置 | ||
1.一种存储器编程方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在所述存储器的存储单元经编程满足第一预设条件后，判断所述存储单元是否满足第二预设条件；
对于不满足第二预设条件的存储单元再次执行编程；
在所述存储单元满足第一预设条件前执行的所述编程过程中，所述存储单元的位线上加载第一预设电压；在对所述不满足第二预设条件的存储单元再次执行编程时，所述存储单元的位线上加载第二预设电压；其中，所述第二预设电压大于所述第一预设电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于第一目标阈值；所述第二预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于第二目标阈值；其中，所述第二目标阈值大于等于所述第一目标阈值。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器编程为步进式脉冲编程(ISPP)，在所述存储器的存储单元经编程满足第一预设条件后，所述方法还包括以下步骤：
在下一脉冲对所述存储单元执行编程抑制；
在所述编程抑制步骤的下一脉冲判断所述存储单元是否满足第二预设条件。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
在所述再次执行编程的步骤后，对所述存储单元执行编程抑制直至编程结束。
5.一种存储器编程控制装置，其特征在于，所述装置包括：
判断模块，用于在所述存储器的存储单元经编程满足第一预设条件后，判断所述存储单元是否满足第二预设条件；
控制模块，用于对于不满足第二预设条件的存储单元，控制对其再次执行编程；
所述控制模块，还用于在所述存储单元满足第一预设条件前执行的所述编程过程中，控制所述存储单元的位线上加载第一预设电压；在对所述不满足第二预设条件的存储单元再次执行编程时，控制所述存储单元的位线上加载第二预设电压；其中，所述第二预设电压大于所述第一预设电压。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于第一目标阈值；所述第二预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于第二目标阈值；其中，所述第二目标阈值大于等于所述第一目标阈值。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述存储器编程为步进式脉冲编程，
所述控制模块，还用于在所述存储器的存储单元经编程满足第一预设条件后，在下一脉冲对所述存储单元执行编程抑制；
所述判断模块，具体用于在所述编程抑制步骤的下一脉冲判断所述存储单元是否满足第二预设条件。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述控制模块，还用于在所述再次执行编程的步骤后，对所述存储单元执行编程抑制直至编程结束。
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