[发明专利]一种存储器编程方法及相关装置

说明书

本发明公开了一种存储器编程方法及相关装置，其中，所述存储器编程方法包括以下步骤：在所述存储器的存储单元经编程满足第一预设条件后，判断所述存储单元是否满足第二预设条件；对于不满足第二预设条件的存储单元再次执行编程。如此，缩小了整个编程态的分布范围，增加了态与态之间的读窗口，使所有编程态具有更好的保持特性。

技术领域

本发明涉及存储器件技术领域，尤其涉及一种存储器编程方法及相关装置。

背景技术

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。作为一种典型的非易失性半导体存储器，已知的NAND(Not-And，与非型)闪存器由于具有较高的存储密度、可控的生产成本、合适的编擦速度及保持特性，已经成为存储市场中的主流产品。

在对存储器的各存储单元进行编程后，使各存储单元的阈值电压改变，从而实现信息存储。然而，在实际读取的编程态的分布中发现，总会有一些存储单元在编程后的阈值低于目标阈值，使存储器整体的阈值分布范围变宽。研究发现，出现上述问题的很大一部分原因是编程后的快速电荷泄漏，这主要是由于在编程过程中有一部分电子是存储在隧穿层或者存储层的浅能级，而这部分电子很快就会跑回到沟道中，造成存储单元阈值电压下降。这一过程发生很快，实际产品中情况也较为复杂，但最后的结果基本都是造成整个编程态的分布变宽，最终导致态与态之间的读窗口变小。

由此可见，如何缩小编程态的分布范围成为本领域现阶段亟需解决的技术问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种存储器编程方法及相关装置。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种存储器编程方法，所述方法包括以下步骤：

在所述存储器的存储单元经编程满足第一预设条件后，判断所述存储单元是否满足第二预设条件；

对于不满足第二预设条件的存储单元再次执行编程。

上述方案中，所述第一预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于第一目标阈值；所述第二预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于第二目标阈值；其中，所述第二目标阈值大于等于所述第一目标阈值。

上述方案中，所述存储器编程为步进式脉冲编程(ISPP)，在所述存储器的存储单元经编程满足第一预设条件后，所述方法还包括以下步骤：

在下一脉冲对所述存储单元执行编程抑制；

在所述编程抑制步骤的下一脉冲判断所述存储单元是否满足第二预设条件。

上述方案中，所述方法还包括以下步骤：

在所述再次执行编程的步骤后，对所述存储单元执行编程抑制直至编程结束。

上述方案中，在所述存储单元满足第一预设条件前执行的所述编程过程中，所述存储单元的位线上加载第一预设电压；在对所述不满足第二预设条件的存储单元再次执行编程时，所述存储单元的位线上加载第二预设电压；其中，所述第二预设电压大于所述第一预设电压。

本发明实施例还提供了一种存储器编程控制装置，所述装置包括：

判断模块，用于在所述存储器的存储单元经编程满足第一预设条件后，判断所述存储单元是否满足第二预设条件；

控制模块，用于对于不满足第二预设条件的存储单元，控制对其再次执行编程。

上述方案中，所述第一预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于第一目标阈值；所述第二预设条件为所述存储单元的阈值电压大于等于第二目标阈值；其中，所述第二目标阈值大于等于所述第一目标阈值。

上述方案中，所述存储器编程为步进式脉冲编程，