[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置在审

申请号：	201910228660.8	申请日：	2019-03-25
公开（公告）号：	CN109904076A	公开（公告）日：	2019-06-18
发明（设计）人：	郭雄;左丞;党康鹏;陈宏;秦鹏;金钟;饶杨;王博;罗仲丽;刘腾;唐元生;黄世飞	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/77;H01L29/786
代理公司：	北京中博世达专利商标代理有限公司 11274	代理人：	申健
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	半导体图案制备薄膜晶体管衬底阻挡单元阻挡层源层子区显示装置正投影基板注入离子去除背离
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成有源层；

所述在衬底上形成有源层包括：

在所述衬底上形成第一半导体图案，所述第一半导体图案划分为多个半导体图案子区；

在所述第一半导体图案上形成阻挡层；所述阻挡层中与所述第一半导体图案在所述衬底上的正投影重叠的部分划分为多个第一子阻挡单元，多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同；其中，任一个所述第一子阻挡单元与一个所述半导体图案子区对应，且相互对应的所述第一子阻挡单元与所述半导体图案子区在所述衬底上的正投影重叠；

向所述阻挡层背离所述第一半导体图案的一侧注入离子；

去除所述阻挡层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述阻挡层包括镂空区；

所述第一半导体图案中需要注入离子浓度最大的所述半导体图案子区与所述镂空区在所述衬底上的正投影重叠。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为光刻胶。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体图案上形成阻挡层包括：

在所述第一半导体图案上形成光刻胶薄膜；

利用半色调掩膜板对所述光刻胶薄膜进行掩膜曝光，显影后形成所述阻挡层，所述阻挡层中多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，多个所述半导体图案子区包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区；所述第一掺杂区用于与源极或漏极接触；所述沟道区注入的离子浓度小于所述第一掺杂区注入的离子浓度；与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度大于与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度范围为

和/或，与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度为0。

7.根据权利要求5或6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，多个所述半导体图案子区还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区和所述沟道区之间；

所述第二掺杂区注入的离子浓度大于所述沟道区注入的离子浓度，且小于所述第一掺杂区注入的离子浓度；与所述第二掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度小于与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度，且大于与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，与所述第二掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度范围为

9.一种基板的制备方法，其特征在于，利用如权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管的制备方法在衬底上形成多个薄膜晶体管。

10.根据权利要求9所述的基板的制备方法，其特征在于，每个第一半导体图案的多个半导体图案子区包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区；所述第一掺杂区用于与源极或漏极接触；

其中，与多个所述第一半导体图案的所述沟道区一一对应的多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同。

11.根据权利要求9或10所述的基板的制备方法，其特征在于，所述基板的制备方法还包括：

在衬底上形成多个第一半导体图案的同时，在所述衬底上形成多个第二半导体图案；

所述阻挡层还包括多个第二子阻挡单元，任一个所述第二子阻挡单元与一个所述第二半导体图案在衬底上的正投影重叠；

其中，所述第二半导体图案被注入离子后用于作为存储电容的一个电极。