[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置，涉及薄膜晶体管技术领域，可解决有源层的制备工序繁琐的问题。薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底上形成有源层；在衬底上形成有源层包括：在衬底上形成第一半导体图案，第一半导体图案划分为多个半导体图案子区；在第一半导体图案上形成阻挡层；阻挡层中与第一半导体图案在衬底上的正投影重叠的部分划分为多个第一子阻挡单元，多个第一子阻挡单元的厚度不完全相同；任一个第一子阻挡单元与一个半导体图案子区对应，相互对应的第一子阻挡单元与半导体图案子区在衬底上的正投影重叠；向阻挡层背离第一半导体图案的一侧注入离子；去除阻挡层。用于制备薄膜晶体管的有源层。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前，在制作薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的有源层时，常需要对半导体图案的不同位置进行多次不同剂量(Dose)或浓度的掺杂，以改善薄膜晶体管的电学性能。如图1所示，薄膜晶体管的有源层100包括重掺杂区101、轻掺杂区102以及沟道区103。由于重掺杂区101、轻掺杂区102以及沟道区103掺杂的离子剂量不同，重掺杂区101掺杂的离子剂量大于轻掺杂区102掺杂的离子剂量，轻掺杂区102掺杂的离子剂量大于沟道区103掺杂的离子剂量，因而在形成有源层100时，需要对半导体图案的重掺杂区101、轻掺杂区102和沟道区103分别进行离子注入(Doping)。

由于不同剂量的掺杂需要进行多次离子注入，从而导致制备有源层的工艺繁琐。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置，可解决有源层的制备工序繁琐的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成有源层；所述在衬底上形成有源层包括：在所述衬底上形成第一半导体图案，所述第一半导体图案划分为多个半导体图案子区；在所述第一半导体图案上形成阻挡层；所述阻挡层中与所述第一半导体图案在所述衬底上的正投影重叠的部分划分为多个第一子阻挡单元，多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同；其中，任一个所述第一子阻挡单元与一个所述半导体图案子区对应，且相互对应的所述第一子阻挡单元与所述半导体图案子区在所述衬底上的正投影重叠；向所述阻挡层背离所述第一半导体图案的一侧注入离子；去除所述阻挡层。

在一些实施例中，所述阻挡层包括镂空区；所述第一半导体图案中需要注入离子浓度最大的所述半导体图案子区与所述镂空区在所述衬底上的正投影重叠。

在一些实施例中，所述阻挡层的材料为光刻胶。

在一些实施例中，所述在所述第一半导体图案上形成阻挡层包括：在所述第一半导体图案上形成光刻胶薄膜；利用半色调掩膜板对所述光刻胶薄膜进行掩膜曝光，显影后形成所述阻挡层，所述阻挡层中多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同。

在一些实施例中，多个所述半导体图案子区包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区；所述第一掺杂区用于与源极或漏极接触；所述沟道区注入的离子浓度小于所述第一掺杂区注入的离子浓度；与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度大于与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度。

在一些实施例中，与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度范围为和/或，与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度为0。

在一些实施例中，多个所述半导体图案子区还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区和所述沟道区之间；所述第二掺杂区注入的离子浓度大于所述沟道区注入的离子浓度，且小于所述第一掺杂区注入的离子浓度；与所述第二掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度小于与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度，且大于与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度。