[发明专利]MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法

权利要求书

1.一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，包括：

S1：抽取半导体器件版图中同一MOSFET器件的基础参数；

S2：利用所述基础参数对半导体器件版图中同一MOSFET器件的各个子栅扩散区长度LOD参数进行计算；以及

S3：利用所述各个子栅扩散区长度参数进行等效计算得到同一MOSFET器件的等效LOD参数；同一MOSFET器件的等效LOD参数包括计算MOSFET器件等效栅极左侧边距离扩散区左侧的长度等效值SAeff，以及MOSFET器件等效栅极右侧边距离扩散区右侧的长度等效值SBeff；

其中，lf为子栅的沟道长度，nf为子栅的数量，Sai表示同一MOSFET器件中第i根栅极距离扩散区左侧的长度，Sbi表示同一MOSFET器件中第i根栅极距离扩散区右侧的长度。

2.根据权利要求1所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，所述MOSFET器件为多栅极、漏源共用的MOSFET器件。

3.根据权利要求1或2所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，所述MOSFET器件位于一半导体衬底的扩散区内，其中，所述半导体衬底上包括浅沟槽隔离区，以及位于所述浅沟槽隔离区之间的扩散区，在所述扩散区内形成由多个子栅和位于所述多个子栅两侧的漏极和源极构成所述MOSFET器件。

4.根据权利要求3所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，步骤S1中所述基础参数包括：MOSFET器件最左侧子栅与所述扩散区左侧之间的距离sa、MOSFET器件最右侧子栅与所述扩散区右侧之间的距离sb、各所述子栅间的间距sd、所述子栅的沟道长度lf以及所述子栅的数量nf。

5.根据权利要求4所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，步骤S2中包括计算每一根子栅距离扩散区左侧的长度，以及每一根子栅距离扩散区右侧的长度。

6.根据权利要求5所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，计算每一根子栅距离扩散区左侧的长度，以及每一根子栅距离扩散区右侧的长度的计算公式为：

Sai＝sa+(i-1)*(lf+sd)

Sbi＝sb+(i-1)*(lf+sd)

其中，sa为MOSFET器件最左侧子栅与扩散区左侧之间的距离，sb为MOSFET器件最右侧子栅与扩散区右侧之间的距离,i为大于等于2且小于等于nf的整数。

7.根据权利要求3所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，所述MOSFET器件为具有应力效应参数抽取的MOSFET。

8.根据权利要求7所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，所述MOSFET器件为PMOSFET或NMOSFET。

9.根据权利要求7所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，所述MOSFET器件为射频MOSFET器件。

10.根据权利要求1所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，进一步还包括：

S4：利用LVS物理验证文件，抽取网表。

11.根据权利要求10所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，利用LVS物理技术文件对所述MOSFET器件的LOD参数进行抽取与计算，并生成网表。

12.根据权利要求10所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，使用电子设计自动化工具物理验证工具calibre，编辑代码文件，抽取版图中所述MOSFET器件的LOD参数，并将所述LOD参数带入网表进行后期仿真。