[发明专利]MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法

说明书

本发明涉及一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，涉及集成电路设计和制造领域，通过抽取半导体器件版图中同一MOSFET器件的基础参数；利用所述基础参数对半导体器件版图中同一MOSFET器件的各个子栅扩散区长度(LOD)参数进行计算；以及利用所述各个子栅扩散区长度参数进行等效计算得到同一MOSFET器件的等效LOD参数的步骤得到MOSFET器件的应力效应参数，不仅能对LOD参数进行精确抽取与计算，且同时降低设计难度，提高设计灵活性，提高开发效率。

技术领域

本发明涉及集成电路设计和制造领域，尤其涉及一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法。

背景技术

在集成电路设计和制造领域，器件敏感性对设计有很大的挑战。随着集成电路设计与制造技术的不断发展与进步，浅沟槽隔离技术(shallow trench isolation，STI)的应用早已普及。近年来，随着工艺节点不断降低，随之产生的应力效应(mechanical stresseffect)会对金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor，MOSFET)器件的各项性能产生重要影响，如迁移率，开启电压，饱和电流等。因此，MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算非常重要。

MOSFET器件的应力效应版图参数，主要体现为扩散区长度LOD(Length ofdiffusion)这一参数，因此业界也将应力效应称之为LOD效应。在集成电路设计过程中，设计者会利用设计版图布局比原理图LVS(Layout Versus Schematics)物理验证文件提取出实际版图中MOSFET器件的应力效应(LOD)参数，将此参数带入仿真器进行后期仿真，得到符合实际器件性能的反馈结果，从而进一步优化设计参数。因此，LVS提取应力效应参数与计算的准确极大影响器件的仿真结果，从而影响设计的成败。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，能对LOD参数进行精确抽取与计算，且同时降低设计难度，提高设计灵活性，提高开发效率。

本发明提供的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，包括：S1：抽取半导体器件版图中同一MOSFET器件的基础参数；S2：利用所述基础参数对半导体器件版图中同一MOSFET器件的各个子栅扩散区长度(LOD)参数进行计算；以及S3：利用所述各个子栅扩散区长度参数进行等效计算得到同一MOSFET器件的等效LOD参数。

更进一步的，所述MOSFET器件为多栅极、漏源共用的MOSFET器件。

更进一步的，所述MOSFET器件位于一半导体衬底的扩散区内，其中，所述半导体衬底上包括浅沟槽隔离区，以及位于所述浅沟槽隔离区之间的扩散区，在所述扩散区内形成由多个子栅和位于所述多个子栅两侧的漏极和源极构成所述MOSFET器件。

更进一步的，步骤S1中所述基础参数包括：MOSFET器件最左侧子栅与所述扩散区左侧之间的距离sa、MOSFET器件最右侧子栅与所述扩散区右侧之间的距离sb、各所述子栅间的间距sd、所述子栅的沟道长度(lf)以及所述子栅的数量(nf)。

更进一步的，步骤S2中包括计算每一根子栅距离扩散区左侧的长度Sai，以及每一根子栅距离扩散区右侧的长度Sbi，i为大于等于2且小于等于nf的整数。

更进一步的，计算每一根子栅距离扩散区左侧的长度Sai，以及每一根子栅距离扩散区右侧的长度Sbi的计算公式为：

Sai＝sa+(i-1)*(lf+sd)

Sbi＝sb+(i-1)*(lf+sd)