[发明专利]存取闪存模块的方法、闪存控制器以及记忆装置

权利要求书

1.一种存取闪存模块的方法，该闪存模块包含多个闪存芯片，其特征在于，包括：

对第N笔数据进行编码以产生一第N组错误更正码，其中该第N组错误更正码用来对该第N笔数据进行错误更正，其中N为一正整数；

将该第N笔数据写入至该闪存模块中；

将该第N组错误更正码写入至该闪存模块中；

当该第N笔数据成功写入至该闪存模块后，删除该闪存模块中的该第N组错误更正码中至少一部分，但在该闪存模块中保留该第N笔数据；

对第(N+1)～(N+M)笔数据进行编码以产生第(N+1)～(N+M)组错误更正码，其中该第(N+1)～(N+M)组错误更正码分别用来对该第(N+1)～(N+M)笔数据进行错误更正，其中M为一正整数；

将该第(N+1)～(N+M)笔数据写入至该闪存模块中；

将该第(N+1)～(N+M)组错误更正码写入至该闪存模块中；以及

当该第(N+M)笔数据已成功写入至该闪存模块后，删除该第N～(N+M)组错误更正码；

其中第N笔数据写入至该多个闪存芯片中每一个闪存芯片之一字符线(word line)上的浮闸晶体管，且第(N+1)～(N+M)笔数据系分别写入至该多个闪存芯片中每一个闪存芯片之其他不同字符线(word line)上的浮闸晶体管。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第N笔数据写入到该多个闪存芯片的一超级区块(super block)中的第一个数据页，其中该超级区块包含了该多个闪存芯片中每一个闪存芯片的一个区块(block)；以及该第(N+M)笔数据写入到该多个闪存芯片的该超级区块的最后一个数据页。

3.如权利要求1所述的方法，另包括：

将该第N～(N+M)组错误更正码写入到该闪存模块的至少一特定区块中。

4.如权利要求3所述的方法，其中删除该第N～(N+M)组错误更正码的步骤包括：

当判断该第(N+M)笔数据已成功写入至该多个闪存芯片中时，抹除该至少一特定区块以删除该第N～(N+M)组错误更正码。

5.如权利要求4所述的方法，另包括：

将第(N+M+1)笔数据写入至该多个闪存芯片，并对该第(N+M+1)笔数据进行编码以产生一第(N+M+1)组错误更正码，其中该第(N+M+1)笔数据与该第(N+M)笔数据为连续的数据，且该第(N+M+1)组错误更正码用来对写入至该多个闪存芯片中的该第(N+M+1)笔数据进行错误更正；以及

在该至少一特定区块以删除该第N～(N+M)组错误更正码被抹除之后，将该第(N+M+1)组错误更正码写入至该至少一特定区块。

6.如权利要求3所述的方法，其中该至少一特定区块中为一单层式储存(Single-LevelCell，SLC)的区块。