[发明专利]集成电路标准单元库建立方法

权利要求书

1.一种集成电路标准单元库建立方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将最小高度的标准单元版图规则化；

2）确定第一类型晶体管延伸基准线，及延伸基准线版图规则；

3）确定第二类型晶体管延伸基准线，及延伸基准线版图规则；

4）将第一类型晶体管延伸基准线以上的所有层次向第一方向延伸至指定高度；

5）将第二类型晶体管延伸基准线以上的所有层次向第二方向延伸至指定高度；

6）确定修改后标准单元的原点；

7）对标准单元库中所有单元进行上述修改；

其中，PMOS延伸基准线版图规则如下：

A）PMOS延伸基准线在单元库每个最小单元内相对于原点的距离相同；

B）PMOS有源区作为源/漏的部分与PMOS延伸基准线交叠；

C）PMOS有源区仅有作为源/漏的部分与PMOS延伸基准线存在交叠；

D）接触孔及过孔与所PMOS延伸基准线不存在交叠；

E）多晶硅仅有栅与PMOS延伸基准线存在交叠；

NMOS延伸基准线版图规则如下：

a）NMOS延伸基准线在单元库每个最小单元内相对于原点的距离相同；

b）NMOS有源区作为源/漏的部分与NMOS延伸基准线交叠；

c）NMOS有源区仅有作为源/漏的部分与NMOS延伸基准线存在交叠；

d）接触孔及过孔与NMOS延伸基准线不存在交叠；

e）多晶硅仅有栅与NMOS延伸基准线存在交叠。

2.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：实施步骤1）时，根据设计规则文件中最小设计规则将最小高度的标准单元版图规则化。

3.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：第一类型晶体管是PMOS。

4.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：实施步骤4）时，延伸的起始位置位于第一类型晶体管有源区的顶边与接触孔之间，包含有源区边界但不包含接触孔的边界。

5.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：实施步骤5）时，延伸的起始位置位于第二类型晶体管有源区的顶边与接触孔之间，包含有源区边界但不包含接触孔的边界。

6.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：实施步骤6）时，通过EDA软件将修改后的标准单元的原点归到原始位置。

7.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：实施步骤7）时，通过脚本将标准单元库中所有单元进行修改。

8.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：第一方向是上方。

9.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：步骤B）中的交叠是指基准线位于PMOS有源区源/漏部分的上沿和下沿之间。

10.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：第二类型晶体管是NMOS。

11.如权利要求10所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：第二方向是下方。

12.如权利要求10所述的集成电路标准单元库建立方法，其特征在于：步骤b）中的交叠是指基准线位于NMOS有源区源/漏部分的上沿和下沿之间。