[发明专利]集成电路标准单元库建立方法

说明书

本发明公开了一种集成电路标准单元库建立方法,包括：将最小高度的标准单元版图规则化；确定第一类型晶体管延伸基准线,及延伸基准线版图规则；确定第二类型晶体管延伸基准线,及延伸基准线版图规则；将第一类型晶体管延伸基准线以上的所有层次向第一方向延伸至指定高度；将第二类型晶体管延伸基准线以上的所有层次向第二方向延伸至指定高度；确定修改后标准单元的原点；对标准单元库中所有单元进行上述修改。本发明仅需开发一套最小高度的标准单元库即能实现集成电路标准单元库高度自定义，较大程度的减少不同高度标准单元库的开发时间。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种集成电路标准单元库建立方法。

背景技术

在半导体集成电路制造领域中，每一种工艺都需要有一套对应的标准单元库，在进行流片之前需要采用标准单元库中的标准单元进行自动逻辑综合和版图布局布线。基于标准单元库的设计方法的优点是在某个特定类型的工艺节点下，标准单元库只需要进行一次设计并成功验证后，在往后的设计中便可以继续地重复使用，极大地提高了设计效率，分摊了设计成本。

现有方法中，标准单元库的建立都是基于人手工进行电路搭建和参数修改，开发单元库均为指定高度开发，客户根据性能和功耗的需求确定标准单元库的高度，标准单元库开发团队根据所述高度开发对应的IP满足客户需求，业界每个高度的标准单元库开发时间需要3个月时间，存在响应时间长，效率低的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能缩短不同高度的标准单元库开发周期，减少不同高度标准单元库的开发时间的集成电路标准单元库建立方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的集成电路标准单元库建立方法,包括以下步骤：

1)将最小高度的标准单元版图规则化；

2)确定第一类型晶体管延伸基准线,及延伸基准线版图规则；

3)确定第二类型晶体管延伸基准线,及延伸基准线版图规则；

4)将第一类型晶体管延伸基准线以上的所有层次向第一方向延伸至指定高度；

5)将第二类型晶体管延伸基准线以上的所有层次向第二方向延伸至指定高度；

6)确定修改后标准单元的原点；

7)对标准单元库中所有单元进行上述修改。

2.如权利要求1所述的集成电路标准单元库建立方法,其特征在于：实施步骤1)时，根据设计规则文件中最小设计规则将最小高度的标准单元版图规则化。

其中，第一类型晶体管是PMOS。

进一步改进所述的集成电路标准单元库建立方法,实施步骤4)时，延伸的起始位置位于第一类型晶体管有源区的顶边与接触孔(Contact)之间，包含有源区边界但不包含接触孔(Contact)的边界。

进一步改进所述的集成电路标准单元库建立方法,实施步骤5)时，延伸的起始位置位于第二类型晶体管有源区的顶边与接触孔(Contact)之间，包含有源区边界但不包含接触孔(Contact)的边界。

进一步改进所述的集成电路标准单元库建立方法,实施步骤6)时，通过EDA软件将修改后的标准单元的原点归到原始位置。

进一步改进所述的集成电路标准单元库建立方法,实施步骤7)时，通过脚本将标准单元库中所有单元进行修改。

进一步改进所述的集成电路标准单元库建立方法,PMOS延伸基准线版图规则如下：

A)PMOS延伸基准线在单元库每个最小单元(Cell)内相对于原点的距离相同；

B)PMOS有源区作为源/漏(Source/Drain)的部分与PMOS延伸基准线交叠；