[发明专利]等离子体处理装置和被处理体的输送方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

载置台，其具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；

使所述被处理体相对于所述载置台的载置面升降的升降机构；和

升降控制部，其在从对所述被处理体的等离子体处理结束至开始输送所述被处理体的期间，控制所述升降机构来将所述被处理体保持在所述载置台的载置面与所述被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送所述被处理体时，控制所述升降机构来使所述被处理体从所述被处理体被保持的所述位置上升。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在将所述载置台冷却至0℃以下的温度的状态下，对所述被处理体执行等离子体处理。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

存储部，其按所述等离子体处理的每个处理条件存储侵入范围信息，该侵入范围信息表示所述载置台的载置面与所述被处理体之间的间隔和以所述被处理体的端部为基准而测量出的反应生成物对所述载置台的载置面的侵入范围的长度的关系；和

运算部，其参照所述侵入范围信息，计算所述载置台的载置面与所述被处理体之间的间隔，该间隔是与执行的所述等离子体处理的处理条件对应的所述反应生成物的侵入范围的长度为预先决定的允许长度以下的间隔，

所述升降控制部在从对所述被处理体的等离子体处理结束至开始输送所述被处理体的期间，控制所述升降机构来将所述被处理体保持在所述载置台的载置面与所述被处理体隔开所述计算出的间隔的位置。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

至少基于所述载置台的载置面的外径与所述被处理体的外径之差，来决定所述预先决定的允许长度。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述升降控制部一边对在所述载置台的载置面与所述被处理体之间形成的间隙供给非活性气体，一边将所述被处理体保持在所述位置。

6.一种被处理体的输送方法，其特征在于，计算机执行下述处理：

在从对载置于载置台的载置面的被处理体的等离子体处理结束至所述被处理体的输送开始的期间，控制使所述被处理体相对于所述载置台的载置面升降的升降机构，而将所述被处理体保持在所述载置台的载置面与所述被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，

在开始输送所述被处理体时，控制所述升降机构来使所述被处理体从所述被处理体被保持的所述位置上升。