[发明专利]等离子体处理装置和被处理体的输送方法在审

申请号：	201910231749.X	申请日：	2019-03-26
公开（公告）号：	CN110323119A	公开（公告）日：	2019-10-11
发明（设计）人：	铃木贵幸;高山航;村上贵宏;深泽公博;早坂伸一郎	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	被处理体载置台载置面等离子体处理装置等离子体处理反应生成物控制升降载置升降控制部升降机构侵入的附着隔开升降
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【说明书】：

本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置和被处理体的输送方法。

背景技术

现有技术中，已知使用等离子体对半导体晶片等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置例如在能够构成真空空间的处理容器内，具有用于载置被处理体的载置台。在载置台的内部收纳有升降销。在等离子体处理装置中，在输送被实施了等离子体处理的被处理体时，利用驱动机构使升降销从载置台突出，利用升降销使被处理体从载置台的载置面上升。此外，在等离子体处理装置中，有时在将载置台冷却至0℃以下的温度的状态下进行等离子体处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-207840号公报

专利文献2：日本特开2017-103388号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的技术。

用于解决技术问题的技术手段

本发明的一方式的等离子体处理装置包括：载置台，其具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；相对于所述载置台的载置面使所述被处理体升降的升降机构；和升降控制部，其在从对所述被处理体的等离子体处理结束至开始输送所述被处理体的期间，控制所述升降机，来将所述被处理体保持在所述载置台的载置面与所述被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送所述被处理体时，控制所述升降机构，来使所述被处理体从所述被处理体被保持的所述位置上升。

发明效果

根据本发明，能够获得可以减少反应生成物对载置台的载置面的附着的效果。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的结构的概略截面图。

图2是表示一实施方式的控制等离子体处理装置的控制部的概略结构的一例的框图。

图3是表示载置台的载置面与晶片之间的间隔和以晶片的端部为基准测量出的反应生成物对载置面的侵入范围的长度的关系的一例的图。

图4是表示使晶片从载置台的载置面上升的状态的一例的图。

图5是表示一实施方式的晶片的输送处理的流程的一例的流程图。

附图标记说明

1 处理容器

2 载置台

6 静电吸盘