[发明专利]粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置在审
申请号: | 201910232150.8 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN110323157A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 金岛安治 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社;日东精机株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 牵拉机构 粘合带 粘贴 粘合带粘贴装置 切除区域 把持 宽度方向移动 拉力机构 牵拉 赋予 切割 并列 | ||
本发明提供一种粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置,其在将粘合带粘贴于工件的结构中,能够更可靠地消除粘合带被切割为与工件相应的预定的形状时产生的每个区域的张力的差异。第2拉力机构(37)具有在放出方向(L)上并列的第1牵拉机构(53)和第2牵拉机构(55)。第1牵拉机构(53)和第2牵拉机构(55)被控制为,独立地向宽度方向移动并将粘合带(DT)在宽度方向上牵拉。第1牵拉机构(53)把持距切除区域(C)较近的区域(L1),对区域(L1)在宽度方向上赋予较大的拉力(P1)。第2牵拉机构(55)把持距切除区域(C)较远的区域(L2),对区域(L2)在宽度方向上赋予较小的拉力(P2)。
技术领域
本发明涉及以跨载置于环框的中央的半导体晶圆(以下适当地称作“晶圆”)的背面和该环框地粘贴支承用的粘合带来使它们一体化的操作为例的粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置。
背景技术
在晶圆的表面形成电路图案之后,通过背面磨削工序来磨削晶圆的背面,并且通过切割工序将该晶圆分割为许多芯片零件。在该情况下,为了防止在切割工序中从晶圆分割出的芯片零件飞散,提出了一种将支承用的粘合带以跨晶圆的背面和环框紧贴的方式进行粘贴而一体化的方法。
在进行这样的粘贴工序的情况下,将带状的粘合带放出并供给,并将该粘合带跨晶圆的背面和环框地粘贴,然后沿环框将粘合带切断为圆形。其结果是,向附图标记L所示的方向放出的带状的粘合带DT(图16的(a))在附图标记C所示的部分中被切割为圆形(图16的(b))。
为了防止在放出粘合带DT时在粘合带DT产生褶皱、波纹的事态,向粘合带DT的长度方向(放出方向L)均匀地赋予拉力。但是,当粘合带DT的一部分被切割时,如图16的(c)所示,在切割的部分即切除区域C的附近,高频率地产生主要向放出方向L延伸的褶皱F。尤其在粘合带DT是柔软的材质时,褶皱F的产生变得显著。
作为其原因,能够考虑到因形成切除区域C而导致的拉力不均匀化等。即,在粘合带DT中,粘合带DT在宽度方向的两端侧连续,但是,粘合带DT的宽度方向的中央部因切除区域C而变得不连续。其结果是,在放出方向L上,宽度方向的两端侧被赋予较大的拉力,两端侧的拉力与中央部的拉力的差导致产生褶皱F。
因此,近年来,提出了一种每次切割粘合带DT时在粘合带DT的宽度方向上施加拉力的粘合带粘贴方法(例如参照专利文献1、2)。即,如图16的(d)所示,在切割粘合带DT之后,利用拉力机构101所具有的板状的夹持构件103在放出方向L的预定长度上把持粘合带DT的宽度方向的两端。
然后,借助拉力机构101所具有的作动缸105将各个夹持构件103向宽度方向R牵拉,从而向宽度方向R对粘合带DT赋予拉力。理想的是,如图16的(d)所示,通过向宽度方向赋予拉力,褶皱F被完全去除,粘合带DT变得平坦,能够再次将粘合带DT以紧贴于晶圆的方式进行粘贴。
专利文献1:日本特开2008-205363号公报
专利文献2:日本特开2013-135053号公报
发明内容
但是,在上述现有装置中存在以下的问题。
即,现有的结构与理想的不同,实际上难以可靠地去除产生于粘合带DT的褶皱F。即,如图17的(b)所示,频繁地发生如下的事态:即使利用现有的拉力机构101赋予拉力,褶皱F虽然会减少,但不会被完全去除而有残留。此外,当使用现有的拉力机构101赋予拉力时,如图17的(c)所示,还担忧新产生沿宽度方向R延伸的褶皱G这样的其他问题。
残留有褶皱的部分的粘合带DT不适合作为紧密地粘贴于晶圆并切割的对象。其结果是,需要避开褶皱的部分来设定下一个切除区域C,因此,切除区域C的间距变大。因此,粘合带DT的废弃量增大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造