[发明专利]一种磁控溅射装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开了一种磁控溅射装置，该磁控溅射装置包括溅射腔室；设置于溅射腔室内的支架；设置于溅射腔室内为靶材提供磁场的磁控装置，磁控装置包括：环形载带组件，环形载带组件包括驱动部和从动部、绕设于驱动部和从动部外侧的环形载带；驱动部的轴心线和从动部的轴心线相互平行、且与环形载带的移动方向垂直，且驱动部的轴心线与从动部的轴心线所在的平面与待溅射基板平行；安装于环形载带的外表面、且沿环形载带的移动方向排列的多个导电线体；设置于溅射腔室内的电源组件。该磁控溅射装置可以在溅射区域提供均匀且可控的磁场，可以溅射不同的膜层，且可以有效提高靶材利用率，提高成膜均一性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种磁控溅射装置。

背景技术

溅射(Sputtering)是指在高真空环境下，导入放电用气体，在电极之间施加高电压(AC或DC Power)发生辉光放电，产生等离子体，借助电场对气体离子进行加速，撞击靶材表面，把靶材粒子撞击出来，贴附到基板上的过程。

磁控溅射(Magnetron Sputtering)是在Sputtering的基础上，在靶材背面增加了一个磁场，溅射过程中，电子将受到洛仑兹力的作用，在电场的作用下加速，在磁场作用下螺旋前进。螺旋运动的存在，使得电子在两极之间的运动路径增大，提高了电子的碰撞几率，从而使腔室中气体分子的电离程度增加。磁控溅射具有成膜均匀性好、重复性好、成膜速率高等优点，能满足大规模生产的要求，被广泛应用于AMLCD的导电膜层的沉积工艺。

然而，现有的磁控溅射设备存在一定的局限性，永磁体产生的磁场强度随靶基距(离靶材的距离)衰减很快，对电子和离子的运动影响有限，且基板尺寸太大，无法在整个溅射区域内施加均匀的磁场，容易导致产生的等离子体密度不均一，造成靶材消耗不均匀，靶材利用率低。虽然，生产中采用摆动磁石的方法来提高靶材利用率，由于磁石的摆动幅度有限，靶材的利用率仍较低，一般在40％左右。

故，为了解决上述问题，现在亟需研究一种有效提高靶材利用率的设备或方法。

发明内容

本发明公开了一种磁控溅射装置，该磁控溅射装置中设有可控的磁控装置，可以在溅射区域提供均匀且可控的磁场，可以溅射不同的膜层，且可以有效提高靶材利用率，提高成膜均一性。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种磁控溅射装置，包括：

溅射腔室；

设置于所述溅射腔室内以用于承载靶材的支架；

设置于所述溅射腔室内、以用于自靶材背离待溅射基板的一侧为所述靶材提供磁场的磁控装置，所述磁控装置包括：

环形载带组件，所述环形载带组件包括驱动部和从动部、绕设于所述驱动部和从动部外侧的环形载带；所述驱动部的轴心线以及所述从动部的轴心线相互平行、且与所述环形载带的移动方向垂直，且所述驱动部的轴心线与所述从动部的轴心线所在的平面与所述待溅射基板平行；

安装于所述环形载带的外表面、且沿所述环形载带的移动方向排列的多个导电线体，各所述导电线体的延伸方向与所述驱动部的轴心线平行；

设置于所述溅射腔室内、且用于至少给位于所述环形载带朝向所述待溅射基板一侧表面上的导电线体提供直流电的电源组件。