[发明专利]一种敷银硅胶的低温固化方法

说明书

本申请公开了一种敷银硅胶的低温固化方法，包括以下步骤：将含放射性碘的敷银硅胶颗粒与固化基材原料粉混合，加入去离子水后进行研磨，得到潮湿的混合物，其中，固化基材原料粉由B₂O₃，Bi₂O₃，ZnO及SiO₂组成；对潮湿的混合物进行干燥处理，得到干燥的混合物；将干燥的混合物放入烧结装置中进行烧结，烧结完成后进行冷却，得到玻璃陶瓷烧结体。本申请得到的玻璃陶瓷烧结体，具有固化温度较低，碘浸出率低，热释率低等优点，能够较好地处理放射性碘在环境中的扩散。此外，本申请的低温固化方法，含放射性碘的敷银硅胶颗粒直接与固化基材原料粉混合，不需要高温烧结操作，具有工艺过程简单、节能环保、安全可靠等特点，具有良好的工业应用前景。

技术领域

本发明涉及放射性废物处理领域，具体涉及一种敷银硅胶的低温固化方法。

背景技术

在乏燃料的后处理过程中均会产生含碘-129的废气。由于碘-129具有较长的半衰期，且化学性质较为活泼，因此碘-129容易在生物体内聚集并对其造成长期损伤。目前，对废气中的碘单质及有机碘主要采用敷银硅胶进行吸附，敷银硅胶是将硅胶颗粒放置于AgNO3溶液中所获得的颗粒，通过对含放射性碘的敷银硅胶进行固化处理以达到长期贮存的目的。放射性碘在吸附后主要转化为碘化银，但这种硅胶颗粒本身易受压力、温度、湿度等外界环境因素的影响，导致固化体的形变影响其稳定性，不能满足长期处置放射性碘的需求。

发明内容

本发明针对上述问题，提出了一种敷银硅胶的低温固化方法。

本发明采取的技术方案如下：

一种敷银硅胶的低温固化方法，包括以下步骤：

将含放射性碘的敷银硅胶颗粒与固化基材原料粉混合，加入去离子水后进行研磨，得到潮湿的混合物，其中，固化基材原料粉由B₂O₃，Bi₂O₃，ZnO及SiO₂组成；

对潮湿的混合物进行干燥处理，得到干燥的混合物；

将干燥的混合物放入烧结装置中进行烧结，烧结完成后进行冷却，得到玻璃陶瓷烧结体。

本申请得到的玻璃陶瓷烧结体，含有放射性碘的敷银硅胶，该玻璃陶瓷烧结体具有固化温度较低，碘浸出率低，热释率低等优点，能够较好地处理放射性碘在环境中的扩散。此外，本申请的低温固化方法，含放射性碘的敷银硅胶颗粒直接与固化基材原料粉混合，不需要高温烧结操作，具有工艺过程简单、节能环保、安全可靠等特点，具有良好的工业应用前景。

于本发明其中一实施例中，所述干燥的混合物中，按质量百分数计，所述含放射性碘的敷银硅胶为10％～80％；所述玻璃陶瓷粉为20％～90％。进一步的，所述含放射性碘的敷银硅胶为20％～90％，所述玻璃陶瓷粉为40％～80％。

于本发明其中一实施例中，所述固化基材原料粉中，B₂O₃质量分数为4％～70％，Bi₂O₃质量分数为14％～59％，ZnO质量分数为3％～31％，SiO₂质量分数为5％～30％。

于本发明其中一实施例中，所述含放射性碘的敷银硅胶颗粒为硅胶及AgI的混合物，放射性碘在敷银硅胶的负载量范围为120mg/g至300mg/g。进一步的，放射性碘在敷银硅胶的负载量范围为150mg/g至250mg/g。

于本发明其中一实施例中，含放射性碘的敷银硅胶颗粒与玻璃陶瓷粉混合研磨后，混合物的平均粒径小于等于100μm，研磨时间为6h～48h。一步的，混合物的平均粒径小于等于50μm，研磨时间具体可为12～30h。