[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的多个发光结构，所述发光结构之间形成有切割区域；

绝缘保护层，形成在所述发光结构的上方并且覆盖所述发光结构之间的切割区域；

金属牺牲层，仅形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的所述绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。

2.根据权利要求1所述半导体发光器件，其特征在于，所述衬底包括GaN基衬底，所述发光结构包括形成在所述GaN基衬底上的激光二极管或发光二极管，所述激光二极管或所述发光二极管包括形成在所述GaN基衬底上的凸台结构。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述衬底包括导电基板，所述发光结构包括形成在所述导电基板上的发光二极管或激光二极管，所述发光二极管或所述激光二极管通过金属键合层与所述导电基板键合连接。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述金属牺牲层包括条状金属牺牲层。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于，所述条状金属牺牲层的宽度介于2μm-20μm，厚度介于

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述金属牺牲层包括Ti、Al、Au、Ni、Cr、Pt、Cu和其中任意两种或多种金属的组合组成的群组中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述绝缘保护层包括SiO₂或SiN。

8.一种半导体发光器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；

在所述发光结构上方及所述发光结构之间的切割区域上形成绝缘保护层；

在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层，所述金属牺牲层仅形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括GaN基衬底，所述发光结构包括形成在所述GaN基衬底上的激光二极管或发光二极管，所述激光二极管或所述发光二极管包括形成在所述GaN基衬底上的凸台结构。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括导电基板，所述发光结构包括形成在所述导电基板上的发光二极管或激光二极管，所述发光二极管或所述激光二极管通过金属键合层与所述导电基板键合连接。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括沿所述金属牺牲层对所述半导体发光器件进行切割。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，还包括去除切割后残留在所述绝缘保护层上的所述金属牺牲层。

13.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述金属牺牲层包括条状金属牺牲层。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述条状金属牺牲层的宽度介于2μm-20μm，厚度介于

15.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述金属牺牲层包括Ti、Al、Au、Ni、Cr、Pt、Cu和其中任意两种或多种金属的组合组成的群组中的任意一种。

16.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘保护层包括SiO₂或SiN。