[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法

说明书

本发明提供一种半导体发光器件制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层，所述牺牲层形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。采用激光对半导体发光器件进行切割划片时，首先对牺牲层进行刻蚀，牺牲层能够吸收激光的能量，作为能量缓冲层和扩散层，避免绝缘保护层因能量骤增导致的破裂等损坏。在激光作用下，牺牲层被激光灼烧掉，不会存留对半导体发光器件产生影响的残留物，不会对半导体发光器件的性能产生影响。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体地涉及一种半导体发光器件及其制备方法。

背景技术

半导体发光器件，例如发光二极管、激光二极管等因其优良的发光特性，越来越多的人关注其研究及市场应用。例如，其中的GaN基的发光二极管和镭射二极管，已经取得了广泛研究和市场应用，特别是在激光显示和激光投影方面。目前，GaN基的发光二极管和镭射二极管的主要瓶颈是大功率GaN蓝色和绿色镭射二极管，激光二极管的结构主要是边发射脊波导结构。

对于采用边发射脊波导结构的激光二极管，目前的LD制程，采用低温的SiO₂覆盖在GaN上，附着力差；在二极管表面沉积SiO₂层时，随着SiO₂层厚度的增加，其应力也会随之增大。通常采用激光对所述激光二极管进行划片，常用的激光光源是点连线，首先要对SiO₂层进行激光刻蚀，在此过程中，由于SiO₂层与基板之间的附着力较差，并且自身存在应力的原因，SiO₂层容易破裂，使得二极管存在漏电风险。对于脊波导结构，SiO₂的破裂会降低光场限制，使得器件的性能降低。

发明内容

鉴于现有技术中的上述不足，本发明提供一种半导体发光器件及其制备方法，在半导体发光器件的绝缘保护层上方形成对准切割区域的牺牲层，激光划片时，首先刻蚀该牺牲层。牺牲层能够吸收激光能量，作为能量缓冲层，有效保护绝缘保护层，使其免受破裂等损坏。

根据本发明的第一方面，本发明提供了一种半导体发光器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的多个发光结构，所述发光结构之间形成有切割区域；

绝缘保护层，形成在所述发光结构的上方以及所述发光结构以外的所述衬底上；

牺牲层，形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的所述绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。

可选地，所述衬底包括GaN基衬底，所述发光结构包括形成在所述GaN基衬底上的激光二极管或发光二极管，所述激光二极管或所述发光二极管包括形成在所述GaN基衬底上的凸台结构。

可选地，所述衬底包括导电基板，所述发光结构包括形成在所述导电基板上的发光二极管或激光二极管，所述发光二极管或所述激光二极管通过金属键合层与所述导电基板键合连接。

可选地，所述牺牲层包括条状牺牲层。

可选地，所述条状牺牲层的宽度介于2μm-20μm，厚度介于

可选地，所述牺牲层包括金属牺牲层。

可选地，所述金属牺牲层包括Ti、Al、Au、Ni、Cr、Pt、Cu和其中任意两种或多种金属的组合组成的群组中的任意一种。

可选地，所述绝缘保护层包括SiO₂或SiN。

根据本发明的第二方面，本发明提供了一种半导体发光器件制备方法，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；