[发明专利]一种片上集成电容模型物理参数的提取方法

权利要求书

1.一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、设定电容累积误差函数；

步骤S2、对待提取的目标物理参数设定上下限约束条件，并设定遗传算法的参数；

步骤S3、通过随机数的方式生成复数个所述目标物理参数作为一初始种群的个体，分别将所述个体的值带入所述电容累积误差函数得到所述个体的电容误差值，并根据所述电容误差值作得到所述个体的适应度，遍历得到所述种群中所有所述个体的适应度；

步骤S4、对所述种群中的所有个体进行选择、交叉、变异的生物演绎运算操作得到所述种群的最优个体并将所述最优个体作为候选解；

步骤S5、判断所述种群的迭代次数是否满足预设的拟合次数，

若否，则进行步骤S3；

若是，则从所有所述候选解中根据一预设的选取规则选取出一所述候选解作为结果值，提取所述结果值的所述目标物理参数输出。

2.根据权利要求1所述的一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述目标物理参数，包括：奇偶修正参数、单根线长修正参数、第一工艺修正参数、第二工艺修正参数；

所述遗传算法的参数，包括：预设的种群数量、所述拟合次数、预设的交叉概率及预设的交叉算法、预设的变异概率及预设的变异算法。

3.根据权利要求1所述的一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，所述步骤S1中，包括以下步骤：

步骤S11、获取复数组测量值，每组所述测量值包括：片上集成电容的电容测量值、片上集成电容的金属线根数、片上集成电容的金属线宽度；

步骤S12、将所有所述测量值及带入电容计算公式得到所述电容累积误差函数。

4.根据权利要求2所述的一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，所述步骤S3中，包括以下步骤：

步骤S31、通过随机二进制数的方式，随机产生复数个所述目标物理参数作为所述个体加入至所述初始种群中，直至所述初始种群满足所述种群数量；

步骤S32、将所述种群中的所有所述个体带入所述电容累积误差函数中，得到所有所述个体的所述电容误差值；

步骤S33、将所有所述个体根据所述电容误差值以及预设的适应度转换规则，得到所有所述个体的所述适应度。

5.根据权利要求4所述的一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，所述步骤S4中，还包括以下步骤：

步骤S41、通过轮盘赌选择方法，生成复数个随机数，根据每个所述随机数选择对应所述个体组成一优选种群；

针对所述优选种群中每个所述个体，包括一进行交叉、变异的过程：

步骤S42、判断当前所述个体对应的所述随机数是否小于所述交叉概率；

若是，则对当前所述个体中执行所述交叉算法，得到新的所述个体作为当前个体，随后执行步骤S43；

若否，则执行步骤S43；

步骤S43、判断所述随机数是否小于预设变异概率；

若是，则对当前所述个体中执行所述变异算法，得到新的个体作为当前个体；

若否，退出；

针对所述优选种群中每个所述个体分别进行步骤S42-步骤S43，从而遍历得到经过所述生物演绎运算操作的进化种群，随后执行步骤S44；

步骤S44、将所述进化种群中所有所述个体依次带入所述电容累计函数中得到所述个体的所述电容误差值，选取所述进化种群中所述电容误差值的所述个体作为候选解，将所述进化种群作为所述初始种群，并将所述初始种群所述迭代次数的数值加一。

6.根据权利要求5所述的一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，其特征在于，执行所述步骤S4之前，还包括以下步骤：

步骤A1、将所述初始种群中所有所述个体的所述适应度累加得到所述初始种群的总适应度；

步骤A2、根据每个所述个体的所述适应度及所述总适应度，计算得到每个所述个体对应的适应度概率。