[发明专利]一种片上集成电容模型物理参数的提取方法

说明书

本发明提供一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，根据遗传算法，通过设定所要求解的目标物理参数的约束条件、进行初始化种群、适应度选择竞争、种群交叉、种群变异等生物演绎运算操作反复生成新种群并将种群中的最优个体作为候选解，随后通过设置迭代次数、拟合次数，对新种群反复进行生物演绎运算操作得到一候选解组，从候选解组根据选取规则得到结果值，提取结果值的目标物理参数输出。有效解决了现有片上集成电容模型提模过程中效率缓慢以及精度不够问题,改善了求解准确性问题，得到全局最优值，而不是局部最佳值，从而得到高精度高可靠性片上集成电容模型。

技术领域

本发明涉及片上集成电容模型领域，尤其涉及一种片上集成电容模型物理参数的提取方法。

背景技术

随着高性能集成电路芯片不断发展过程中，集成电路通用SPICE(SimulationProgram with integrated Circuit Emphasis，模拟程序)模型作为集成电路制造与集成电路之间的桥梁，其中精确片上集成电容模型是高速、高性能产品中占据及其重要的地位。

目前大致片上电容提模方法利用Excel与建模软件相互辅助方式完成整个提模流程，不过由于片上集成电容种类繁多，对不同金属结构都需要提取各自不同模型，现有参数提取方式效率低下，精度也难以保证。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种片上集成电容模型物理参数的提取方法。

具体技术方案如下：

一种片上集成电容模型物理参数的提取方法，包括以下步骤：

步骤S1、设定电容累积误差函数；

步骤S2、对待提取的目标物理参数设定上下限约束条件，并设定遗传算法的参数；

步骤S3、通过随机数的方式生成复数个所述目标物理参数作为一初始种群的个体，分别将所述个体的值带入所述电容累积误差函数得到所述个体的电容误差值，并根据所述电容误差值作得到所述个体的适应度，遍历得到所述种群中所有所述个体的适应度；

步骤S4、对所述种群中的所有个体进行选择、交叉、变异的生物演绎运算操作得到所述种群的最优个体并将所述最优个体作为候选解；

步骤S5、判断所述种群的迭代次数是否满足预设的拟合次数，

若否，则进行步骤S3；

若是，则从所有所述候选解中根据一预设的选取规则选取出一所述候选解作为结果值，提取所述结果值的所述目标物理参数输出。

优选的，所述步骤S2中，所述目标物理参数，包括：奇偶修正参数、单根线长修正参数、第一工艺修正参数、第二工艺修正参数；

所述遗传算法的参数，包括：预设的种群数量、所述拟合次数、预设的交叉概率及预设的交叉算法、预设的变异概率及预设的变异算法。

优选的，所述步骤S1中，包括以下步骤：

步骤S11、获取复数组测量值，每组所述测量值包括：片上集成电容的电容测量值、片上集成电容的金属线根数、片上集成电容的金属线宽度；

步骤S12、将所有所述测量值及带入电容计算公式得到所述电容累积误差函数。

优选的，所述步骤S3中，包括以下步骤：

步骤S31、通过随机二进制数的方式，随机产生复数个所述目标物理参数作为所述个体加入至所述初始种群中，直至所述初始种群满足所述种群数量；

步骤S32、将所述种群中的所有所述个体带入所述电容累积误差函数中，得到所有所述个体的所述电容误差值；