[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，具备：至少一个半导体元件、将至少一个半导体元件密封的密封体、在密封体的内部连接于至少一个半导体元件的第一电力端子及在密封体的内部经由至少一个半导体元件而电连接于第一电力端子的第二电力端子。第一电力端子及第二电力端子分别为板状并且在密封体的内部至少部分相向。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置。

背景技术

日本特开2017-224751号公报公开了一种半导体装置。该半导体装置具备半导体元件、将半导体元件密封的密封体、在密封体的内部与半导体元件连接的第一电力端子及第二电力端子。第一电力端子及第二电力端子经由半导体元件而相互连接，彼此反向的电流流向这些电力端子。

发明内容

在半导体装置中，在流向半导体装置的电流发生了急变时，存在产生电涌电压的情况。电涌电压由于会导致例如半导体元件的故障或无用的电力消耗，因此希望能够抑制。为了抑制电涌电压，使半导体装置的电感降低是有效的。本说明书提供一种能降低半导体装置的电感而抑制电涌电压的技术。

本说明书公开的半导体装置具备：至少一个半导体元件；密封体，将至少一个半导体元件密封；第一电力端子，在密封体的内部连接于至少一个半导体元件，并向密封体的外部露出；及第二电力端子，在密封体的内部经由至少一个半导体元件而电连接于第一电力端子，并向密封体的外部露出。第一电力端子及第二电力端子分别为板状并且在密封体的内部至少部分相向。

在上述的半导体装置中，第一电力端子与第二电力端子经由半导体元件而相互电连接。因此，彼此反向的电流流向第一电力端子及第二电力端子。此时，第一电力端子及第二电力端子分别为板状且至少部分相向，因此第一电力端子的电流形成的磁场与第二电力端子的电流形成的磁场相互抵消。由此，能抑制在第一电力端子及第二电力端子的周围形成的磁场，显著地降低第一电力端子及第二电力端子的电感。在此，第一电力端子与第二电力端子之间的距离越小，则第一电力端子及第二电力端子的电感降低得越大。关于这一点，如果第一电力端子及第二电力端子在密封体的内部相向，则能够维持第一电力端子与第二电力端子之间的绝缘性，并充分减小第一电力端子与第二电力端子之间的距离。

附图说明

图1是表示半导体装置10的外观的主视图。

图2是图1中的II-II线的剖视图，图示出在密封体16的内部被密封的三个半导体元件22、24、26。

图3是图1中的III-III线的剖视图，图示出在密封体16的内部相向的第一电力端子32及第二电力端子34。

图4是省略密封体16而表示半导体装置10的内部结构的分解图。

图5是表示将两个半导体装置10串联连接时的电路结构的图。

图6是表示一变形例的半导体装置10a的外观的主视图。

图7是图6中的VII-VII线的剖视图，图示出在密封体16的内部被密封的三个半导体元件22、24、26。

图8是图6中的VIII-VIII线的剖视图，图示出在密封体16的内部相向的第一电力端子32及第二电力端子34。

图9是表示另一变形例的半导体装置10b的外观的主视图。

图10是图9中的X-X线的剖视图，图示出在密封体16的内部被密封的三个半导体元件22、24、26。

图11是图9中的XI-XI线的剖视图，图示出在密封体16的内部相向的第一电力端子32及第二电力端子34。

图12是表示另一变形例的半导体装置10c的外观的主视图。

图13是图12中的XIII-XIII线的剖视图，图示出在密封体16的内部被密封的三个半导体元件22、24、26。