[发明专利]覆金属层叠板及电路基板在审
申请号: | 201910236256.5 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN110324974A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 山田裕明;西山哲平;平石克文;安藤智典;橘高直树 | 申请(专利权)人: | 日铁化学材料株式会社 |
主分类号: | H05K3/02 | 分类号: | H05K3/02;H05K1/03 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 彭雪瑞;臧建明 |
地址: | 日本东京千代*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠板 聚酰亚胺层 电路基板 聚酰亚胺 氟原子 金属层 金属 芳香族二胺化合物 芳香族四羧酸酐 储存弹性模量 玻璃化转变 绝缘树脂层 热处理 起泡 二胺残基 酸酐残基 | ||
1.一种覆金属层叠板,其为具有绝缘树脂层、以及层叠于所述绝缘树脂层的单面或两面的金属层的覆金属层叠板,且其特征在于:
所述绝缘树脂层具有包含主要的聚酰亚胺层(A)、以及层叠于所述聚酰亚胺层(A)的单面或两面且与所述金属层相接的聚酰亚胺层(B)的多层聚酰亚胺树脂层,
构成所述聚酰亚胺层(A)及所述聚酰亚胺层(B)的聚酰亚胺分别含有由酸酐成分衍生的酸酐残基、以及由二胺成分衍生的二胺残基,
构成所述聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺包含由包含氟原子的芳香族二胺化合物衍生的二胺残基和/或由包含氟原子的芳香族四羧酸酐衍生的酸酐残基,
所述聚酰亚胺层(B)包含350℃下的储存弹性模量为1×108Pa以上且玻璃化转变温度为280℃以上的聚酰亚胺。
2.根据权利要求1所述的覆金属层叠板,其中:构成所述聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺相对于所述二胺残基的合计100摩尔份而含有50摩尔份以上的由下述通式(A1)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基,
通式(A1)中,取代基X独立地表示由氟原子取代的碳数1~3的烷基,m及n独立地表示1~4的整数。
3.根据权利要求1所述的覆金属层叠板,其中:构成所述聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺相对于所述二胺残基的合计100摩尔份而在0摩尔份~50摩尔份的范围内含有由下述通式(A2)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基,
通式(A2)中,取代基Y独立地表示碳数1~3的烷基或烷氧基或者碳数2~3的烯基,p及q独立地表示0~4的整数。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的覆金属层叠板,其中:构成所述聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺相对于所述酸酐残基的合计100摩尔份而含有50摩尔份以上的由均苯四甲酸二酐衍生的酸酐残基。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的覆金属层叠板,其中:构成所述聚酰亚胺层(B)的聚酰亚胺相对于所述酸酐残基的合计100摩尔份而含有60摩尔份以上的由均苯四甲酸二酐衍生的酸酐残基。
6.根据权利要求4所述的覆金属层叠板,其中:构成所述聚酰亚胺层(B)的聚酰亚胺相对于所述酸酐残基的合计100摩尔份而含有60摩尔份以上的由均苯四甲酸二酐衍生的酸酐残基。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的覆金属层叠板,其中:所述聚酰亚胺层(A)的350℃下的储存弹性模量EA、与所述聚酰亚胺层(B)的350℃下的储存弹性模量EB具有0.5≤(EA/EB)≤100的关系。
8.根据权利要求4所述的覆金属层叠板,其中:所述聚酰亚胺层(A)的350℃下的储存弹性模量EA、与所述聚酰亚胺层(B)的350℃下的储存弹性模量EB具有0.5≤(EA/EB)≤100的关系。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的覆金属层叠板,其中:所述聚酰亚胺层(A)的热膨胀系数为30ppm/k以下,且所述聚酰亚胺层(B)的热膨胀系数为0~100的范围内。
10.一种电路基板,其为具有绝缘树脂层、以及层叠于所述绝缘树脂层的单面或两面的金属布线层的电路基板,且其特征在于:
所述绝缘树脂层具有包含主要的聚酰亚胺层(A)、以及层叠于所述聚酰亚胺层(A)的单面或两面且与所述金属布线层相接的聚酰亚胺层(B)的多层聚酰亚胺树脂层,
构成所述聚酰亚胺层(A)及所述聚酰亚胺层(B)的聚酰亚胺分别含有由酸酐成分衍生的酸酐残基、以及由二胺成分衍生的二胺残基,
构成所述聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺包含由包含氟原子的芳香族二胺化合物衍生的二胺残基和/或由包含氟原子的芳香族四羧酸酐衍生的酸酐残基,
所述聚酰亚胺层(B)包含350℃下的储存弹性模量为1×108Pa以上且玻璃化转变温度为280℃以上的聚酰亚胺。
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