[发明专利]一种动态反馈读出放大电路在审
申请号: | 201910236544.0 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN111755058A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 王韬 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C7/06 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 段洁汝;李丽 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 动态 反馈 读出 放大 电路 | ||
1.一种动态反馈读出放大电路,其特征在于,包括:第一负载电路,第二负载电路,反馈电路,以及比较放大电路;其中,
所述第一负载电路的输入端耦接至电源,所述第一负载电路与所述第二负载电路耦接,所述第一负载电路适于转换流经所述第一负载电路的参考电流为参考电压,并通过所述第一负载电路的输出端输出所述参考电压;
所述第二负载电路的输入端耦接至所述电源,第二负载电路适于转换流经所述第二负载电路的数据电流为数据电压,并通过所述第二负载电路的输出端输出所述数据电压;
所述反馈电路与所述第二负载电路耦接,所述反馈电路接入所述第二负载电路的输出端,所述反馈电路适于输出与所述数据电压的变化趋势正相关的反馈信号至所述第二负载电路;
所述比较放大电路分别与所述第一负载电路以及所述第二负载电路耦接,所述比较放大电路适于对所述参考电压以及所述数据电压进行比较,以输出比较结果信号。
2.根据权利要求1所述的动态反馈读出放大电路,其特征在于,所述反馈电路包括电容电路,所述电容电路的输入端耦接至所述第二负载电路的输出端,所述电容电路的输出端耦接至所述第二负载电路的控制端,所述电容电路适于耦接所述反馈信号至所述第二负载电路。
3.根据权利要求2所述的动态反馈读出放大电路,其特征在于,所述第一负载电路包括第一NMOS管,所述第二负载电路包括第二NMOS管;
所述第一NMOS管的漏极耦接至电源,所述第一NMOS管的栅极耦接至所述第二NMOS管的栅极,所述第一NMOS管的源极耦接至所述第一NMOS管的栅极以及所述比较放大电路,所述第一NMOS管输出所述参考电压;
所述第二NMOS管的漏极耦接至电源,所述第二NMOS管的源极耦接至所述比较放大电路,所述第二NMOS管输出所述数据电压。
4.根据权利要求2所述的动态反馈读出放大电路,其特征在于,所述电容电路包括至少一个电容器。
5.根据权利要求2所述的动态反馈读出放大电路,其特征在于,所述反馈电路还包括反向电路,所述反向电路的输入端与所述第二负载电路的输出端耦接,所述反向电路输出端与所述电容电路的输入端耦接,所述反向电路适于对接入的所述数据电压进行取反并输出。
6.根据权利要求5所述的动态反馈读出放大电路,其特征在于,所述反向电路包括反相器。
7.根据权利要求5所述的动态反馈读出放大电路,其特征在于,所述第一负载电路包括第一PMOS管,所述第二负载电路包括第二PMOS管;
所述第一PMOS管的源极耦接至电源,所述第一PMOS管的栅极耦接至所述第二PMOS管的栅极,所述第一PMOS管的漏极耦接至所述第一PMOS管的栅极以及所述比较放大电路,所述第一PMOS管输出所述参考电压;
所述第二PMOS管的源极耦接至电源,所述第二PMOS管的漏极耦接至所述比较放大电路,所述第二PMOS管输出所述数据电压。
8.根据权利要求1所述的动态反馈读出放大电路,其特征在于,若所述数据电压的变化趋势为电压升高,则所述反馈电路输出用于提升所述数据电压的反馈信号,若所述数据电压的变化趋势为电压降低,则所述反馈电路输出用于降低所述数据电压的反馈信号。
9.根据权利要求1所述的动态反馈读出放大电路,其特征在于,所述比较放大电路包括电压比较放大器,所述电压比较放大器的一个输入端与所述第一负载电路耦接,所述电压比较放大器的第二输入端与所述第二负载电路耦接,所述电压比较电路适于对所述参考电压以及所述数据电压进行比较并输出所述比较结果信号。
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