[发明专利]一种动态反馈读出放大电路

说明书

本发明实施例公开了一种动态反馈读出放大电路，包括：第一负载电路，第二负载电路，反馈电路，以及比较放大电路；第一负载电路的输入端耦接至电源，第一负载电路与第二负载电路耦接，第一负载电路适于转换流经第一负载电路的参考电流为参考电压，并通过第一负载电路的输出端输出参考电压；第二负载电路的输入端耦接至电源，第二负载电路适于转换流经第二负载电路的数据电流为数据电压，并通过第二负载电路的输出端输出所述数据电压；反馈电路与第二负载电路耦接，反馈电路接入第二负载电路的输出端，反馈电路适于输出与数据电压的变化趋势正相关的反馈信号至第二负载电路号。本发明实施例中的技术方案可以提升读出放大电路的数据读取速度。

技术领域

本发明涉及电路领域，尤其涉及一种动态反馈读出放大电路。

背景技术

磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory，MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度，且可以被重复写入。

在对MRAM单元进行数据读取时，通过给数据单元以及参考单元同时施加相同的电流(或电压)来检测他们相应的电压(或电流)，然后进行对比，即可判断出数据单元中存储的信息。

如何提升读出放大电路的数据读取速度成为亟待解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提升读出放大电路的数据读取速度。

为解决上述问题，本发明提供一种动态反馈读出放大电路，包括：第一负载电路，第二负载电路，反馈电路，以及比较放大电路；其中，所述第一负载电路的输入端耦接至电源，所述第一负载电路与所述第二负载电路耦接，所述第一负载电路适于转换流经所述第一负载电路的参考电流为参考电压，并通过所述第一负载电路的输出端输出所述参考电压；所述第二负载电路的输入端耦接至所述电源，第二负载电路适于转换流经所述第二负载电路的数据电流为数据电压，并通过所述第二负载电路的输出端输出所述数据电压；所述反馈电路与所述第二负载电路耦接，所述反馈电路接入所述第二负载电路的输出端，所述反馈电路适于输出与所述数据电压的变化趋势正相关的反馈信号至所述第二负载电路；所述比较放大电路分别与所述第一负载电路以及所述第二负载电路耦接，所述比较放大电路适于对所述参考电压以及所述数据电压进行比较，以输出比较结果信号。

可选的，所述反馈电路包括电容电路，所述电容电路的输入端耦接至所述第二负载电路的输出端，所述电容电路的输出端耦接至所述第二负载电路的控制端，所述电容电路适于耦接所述反馈信号至所述第二负载电路。

可选的，所述第一负载电路包括第一NMOS管，所述第二负载电路包括第二NMOS管；所述第一NMOS管的漏极耦接至电源，所述第一NMOS管的栅极耦接至所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极耦接至所述第一NMOS管的栅极以及所述比较放大电路，所述第一NMOS管输出所述参考电压；所述第二NMOS管的漏极耦接至电源，所述第二NMOS管的源极耦接至所述比较放大电路，所述第二NMOS管输出所述数据电压。

可选的，所述电容电路包括至少一个电容器。

可选的，所述反馈电路还包括反向电路，所述反向电路的输入端与所述第二负载电路的输出端耦接，所述反向电路输出端与所述电容电路的输入端耦接，所述反向电路适于对接入的所述数据电压进行取反并输出。

可选的，所述反向电路包括反相器。

可选的，所述第一负载电路包括第一PMOS管，所述第二负载电路包括第二PMOS管；所述第一PMOS管的源极耦接至电源，所述第一PMOS管的栅极耦接至所述第二PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的漏极耦接至所述第一PMOS管的栅极以及所述比较放大电路，所述第一PMOS管输出所述参考电压；所述第二PMOS管的源极耦接至电源，所述第二PMOS管的漏极耦接至所述比较放大电路，所述第二PMOS管输出所述数据电压。