[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构，位于所述栅极结构两侧所述衬底中的源漏掺杂层以及覆盖所述栅极结构侧壁和源漏掺杂层的层间介质层，且所述层间介质层露出所述栅极结构的顶壁；

在所述层间介质层中形成露出所述源漏掺杂层的开口，所述开口底部包括中心区域，以及包围所述中心区域的边缘区域；

在所述开口底部形成第一金属层；

去除所述开口底部中心区域的第一金属层，形成开孔；

在所述开孔中形成第二金属层，所述第二金属层的材料扩散能力大于所述第一金属层的材料扩散能力，且所述第二金属层对应硅化物的电阻率小于所述第一金属层对应硅化物的电阻率；

对所述第一金属层和第二金属层进行处理，形成金属硅化物层，所述第一金属层和第二金属层分别对应第一金属硅化物层和第二金属硅化物层；

形成金属硅化物层后，在所述开口中形成接触孔插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的材料包括：Ti。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为2纳米至8纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积或者低压化学气相沉积工艺在所述开口底部形成所述第一金属层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，垂直于所述栅极结构的侧壁方向，所述第二金属层的宽度为10纳米至20纳米。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二金属层的材料包括：Ni。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度为2纳米至8纳米。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积或者低压化学气相沉积工艺在所述开孔中形成所述第二金属层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述开孔的步骤包括：

在所述开口的侧壁上形成牺牲层；

以所述牺牲层为掩膜去除所述牺牲层露出的所述第一金属层，形成由所述第一金属层和源漏掺杂层围成的所述开孔；

所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述开孔后，形成第二金属层前，去除所述牺牲层；或者，形成所述金属硅化物层后，去除所述牺牲层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括：low-K材料、金属化合物、无定型碳和无定型锗中的一种或多种。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属化合物为Al化合物。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在垂直于所述栅极结构侧壁的方向，所述第一金属层的长度和第二金属层的长度比值为2至3。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用自对准金属硅化物工艺对所述第一金属层和所述第二金属层进行处理，分别形成所述第一金属硅化物层和所述第二金属硅化物层。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底为具有鳍部的衬底；

所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶壁和侧壁；

所述源漏掺杂层位于所述栅极结构两侧的所述鳍部中。