[发明专利]基于肖特基结的高灵敏度光强起伏探测器

权利要求书

1.一种光强起伏探测器，包括：由半导体衬底材料和透光的金属特性材料构成的肖特基结吸收体、设置在所述半导体衬底材料表面的电极、连接在所述电极和所述金属特性材料的表面之间的可调电源、以及连接在所述电极和所述金属特性材料的表面之间的测压部件，所述可调电源用于给所述肖特基结吸收体提供反向电流，所述测压部件用于监测所述肖特基结吸收体两端之间的电压。

2.根据权利要求1所述的光强起伏探测器，其中，所述电极和所述金属特性材料的表面分别通过输出引线连接至所述测压部件的两端。

3.根据权利要求1或2所述的光强起伏探测器，其中，所述金属特性材料为TiN、ITO或石墨烯。

4.根据权利要求1或2所述的光强起伏探测器，其中，所述半导体衬底材料为p型半导体或n型半导体。

5.根据权利要求1或2所述的光强起伏探测器，其中，所述电极采用金、铂、银、铝、铜、合金、石墨、铟锡氧化物、钌酸锶或石墨烯。

6.根据权利要求1或2所述的光强起伏探测器，其中，所述可调电源为可调电流的恒流源。

7.根据权利要求1或2所述的光强起伏探测器，其中，所述可调电源包括可变电阻和可调直流稳压电源。

8.一种光强起伏探测方法，包括如下步骤：

调零步骤：用探测光辐照肖特基结吸收体的透光的金属特性材料表面，调节提供给所述肖特基结吸收体的反向电流，使所述肖特基结吸收体两端的电压为0；以及

探测步骤：探测所述肖特基结吸收体两端的电压变化，从而得到所述探测光的光强变化。

9.根据权利要求8所述的光强起伏探测方法，其中，所述电压变化正比于所述探测光的光强变化。

10.一种光强稳定装置，其包括根据权利要求1-7中任一项所述的光强起伏探测器。