[发明专利]基于肖特基结的高灵敏度光强起伏探测器

说明书

本发明提供一种光强起伏探测器，包括：由半导体衬底材料和透光的金属特性材料构成的肖特基结吸收体、设置在所述半导体衬底材料表面的电极、连接在所述电极和所述金属特性材料的表面之间的可调电源、以及连接在所述电极和所述金属特性材料的表面之间的测压部件，所述可调电源用于给所述肖特基结吸收体提供反向电流，所述测压部件用于监测所述肖特基结吸收体两端之间的电压。该光强起伏探测器专用于探测光强的起伏变化，结构简单、灵敏度高、成本低。

技术领域

本发明涉及一种光探测器，尤其涉及一种基于肖特基结的高灵敏度光强起伏探测器。

背景技术

从人类的生活到军事国防和宇宙探测都涉及光的探测，因此具有不同波长不同类型的各种光探测器。本发明人也研制了多种光探测器，如中国专利申请CN201010107349.7、CN 200710175924.5、CN 200510082702.X、CN 200510082701.5、CN201610041786.0和CN 201610044408.8等所公开的。在实际应用中，很多场合都需要测量和监测光强的起伏和稳定性，但到目前为止，还没有专门用于探测光强起伏的高灵敏度光电探测器。肖特基结二极管作为一种基本的电子元件，广泛应用于电子设备，但是现有技术中也没有利用肖特基结构材料作光电探测器的报道。

发明内容

因此，本发明的目的在于克服上述现有技术的缺陷，提供一种光强起伏探测器，包括：由半导体衬底材料和透光的金属特性材料构成的肖特基结吸收体、设置在所述半导体衬底材料表面的电极、连接在所述电极和所述金属特性材料的表面之间的可调电源、以及连接在所述电极和所述金属特性材料的表面之间的测压部件，所述可调电源用于给所述肖特基结吸收体提供反向电流，所述测压部件用于监测所述肖特基结吸收体两端之间的电压。

根据本发明的光强起伏探测器，优选地，所述电极和所述金属特性材料的表面分别通过输出引线连接至所述测压部件的两端。

根据本发明的光强起伏探测器，优选地，所述金属特性材料为TiN、铟锡氧化物(ITO)或石墨烯。

根据本发明的光强起伏探测器，优选地，所述半导体衬底材料为p型半导体或n型半导体。

根据本发明的光强起伏探测器，优选地，所述电极采用金、铂、银、铝、铜、合金、石墨、铟锡氧化物、钌酸锶或石墨烯。

根据本发明的光强起伏探测器，优选地，所述可调电源为可调电流的恒流源。

根据本发明的光强起伏探测器，优选地，所述可调电源包括可变电阻和可调直流稳压电源。

本发明还提供了一种光强起伏探测方法，包括如下步骤：

调零步骤：用探测光辐照肖特基结吸收体的透光的金属特性材料表面，调节提供给所述肖特基结吸收体的反向电流，使所述肖特基结吸收体两端的电压为0,；以及

探测步骤：探测所述肖特基结吸收体两端的电压变化，从而得到所述探测光的光强变化。

根据本发明的光强起伏探测方法，优选地，所述电压变化对应于所述探测光的光强变化。

本发明又提供了一种光强稳定装置，其包括根据本发明的光强起伏探测器。

与现有技术相比，本发明用肖特基结制备高灵敏度光强起伏探测器，专用于探测光强的起伏变化，结构简单、灵敏度高、成本低，能够直接精确地给出光强变化的具体数值，在探测和稳定激光器等领域有广泛的应用。

附图说明

以下参照附图对本发明实施例作进一步说明，其中：

图1为根据本发明实施例的基于肖特基结的高灵敏度光强起伏探测器的结构示意图；以及

图2为图1的等效电路图。

具体实施方式