[发明专利]一种甲烷部分氧化制合成气PtO@S-1多级孔结构分子筛及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201910237412.X 申请日: 2019-03-27
公开(公告)号: CN109908945A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 丁传敏;王俊文;马立超;张冰;孟园园;李宇峰;王顺强 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: B01J29/03 分类号: B01J29/03;B01J35/10;B01J37/08;C01B3/40
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 刘宝贤
地址: 030024 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 多级孔结构 沸石分子筛 分子筛 甲烷部分氧化 合成气 催化剂 制备方法和应用 多级孔分子筛 活性组分浸渍 金属 可溶性铂盐 封装结构 甲烷催化 碱液蚀刻 烧结 反应气 抗烧结 有效地 硅源 制备 封装 合成 扩散 转化
【权利要求书】:

1.一种甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛的制备方法,其特征在于,以含活性组分Pt的PtO/S-1纳米粒子为硅源,在模板剂的导向和蚀刻作用下,通过脱硅与再晶化过程,将活性组分Pt封装在分子筛内,制得PtO@S-1多级孔结构分子筛。

2.根据权利要求1所述的甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括制备S-1沸石分子筛的步骤和由S-1沸石分子筛制备PtO/S-1纳米粒子的步骤。

3.根据权利要求2所述的甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛的制备方法,其特征在于,所述制备S-1沸石分子筛的步骤为:

1)量取一定量模板剂溶液,加入去离子水,将其混合配成一定浓度的溶液;

2)量取适量正硅酸四乙酯,将量好的正硅酸四乙酯缓慢滴加到上述1)配好的溶液中,常温搅拌2~3 h,70~80 ℃ 蒸发水解产生的乙醇;

3)加去离子水至原来体积,然后将溶液转移到聚四氟乙烯反应釜中,170 ℃ 水热晶化3 d,离心,过量去离子水洗涤至中性;

4)在80~100 ℃空气中干燥过夜,然后在400~550 ℃ 空气中焙烧得到S-1沸石分子筛。

4.根据权利要求3所述的甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛的制备方法,其特征在于,所述模板剂为四丙基氢氧化铵、四丙基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵中的任意一种。

5.根据权利要求2所述的甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛的制备方法,其特征在于,由S-1沸石分子筛制备PtO/S-1纳米粒子的步骤为:1)称取0.03~0.2质量份可溶性铂盐,将其溶解在1.5~3体积份去离子水中制成铂盐溶液;

2)称取1~5质量份权利要求3中制好的S-1沸石分子筛,将1)中制备的铂盐溶液逐滴滴加到S-1沸石分子筛上,并充分搅拌;

3)超声,抽真空使铂盐在S-1上充分分散;

4)在80~100 ℃ 下真空干燥,然后在400~550 ℃ 空气中焙烧得到PtO/S-1纳米颗粒。

6.根据权利要求5所述的甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛的制备方法,其特征在于,所述可溶性铂盐为氯铂酸、硝酸铂、氯化铂、氯铂酸铵中的一种或几种。

7.根据权利要求1或2所述的甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛的制备方法,其特征在于,以PtO/S-1纳米粒子为硅源再合成多级孔分子筛,具体包括如下步骤:

1)量取一定量模板剂溶液,加入去离子水,将其混合配成一定浓度的溶液;

2)称取1~2质量份权利要求4中所述PtO/S-1纳米颗粒,将其溶解在配好的模板剂溶液中,充分搅拌、超声1~2 h 使其达到最大程度分散;

3)将上述溶液转移到100 ml 聚四氟乙烯反应釜中,150~170 ℃旋转水热晶化12~24h,转速40~60 r/min;

4)离心分离上述溶液,用过量去离子水充分洗涤至中性;

5)在空气中80~100 ℃ 下干燥,然后在400~550 ℃ 马弗炉中空气氛围中焙烧得到PtO@S-1多级孔结构封装材料。

8.根据权利要求7所述的甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛的制备方法,其特征在于,所述模板剂为四丙基氢氧化铵、四丙基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵中的任意一种。

9.一种甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛,其特征在于,所述PtO@S-1多级孔结构分子筛是以含活性组分Pt的PtO/S-1纳米粒子为硅源,在模板剂的导向和蚀刻作用下,通过脱硅与再晶化过程,将活性组分Pt封装在分子筛内而制得。

10.一种权利要求9所述的甲烷部分氧化制合成气的PtO@S-1多级孔结构分子筛在利用固定床反应器制备合成气中的应用,其特征在于,应用过程包括氧化前处理过程和甲烷部分氧化反应过程;所述氧化前处理过程的温度为200~300 ℃,氧化时间2~3 h,所述氧化前处理过程在纯氧气氛中进行;所述甲烷化反应过程中空速为10800~14400 ml·h-1·g-1,甲烷/氧气进料比为2/1,反应温度为700~800 ℃。

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