[发明专利]发光装置在审
申请号: | 201910238059.7 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN110660820A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 高民求;郭重熙;柳荣浩;梁成锡;李相奭;蔡昇完 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光结构 互连层 衬底 矩阵形式布置 发光装置 延伸 | ||
1.一种发光装置,包括:
衬底,其在第一方向和第二方向上延伸;
第一发光结构至第四发光结构,其在第一方向和第二方向上彼此间隔开,并且在所述衬底上以矩阵形式布置;
多个第一互连层结构,其将所述第一发光结构连接至所述第二发光结构;
第二互连层结构,其将所述第二发光结构连接至所述第三发光结构;以及
多个第三互连层结构,其将所述第三发光结构连接至所述第四发光结构。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中:
所述多个第一互连层结构是彼此水平分离的导电结构,它们中的每一个包括形成在所述衬底上方的第一竖直高度处的至少一部分;
所述多个第三互连层结构是彼此水平分离的并与所述多个第一互连层结构分离的导电结构,它们中的每一个包括形成在所述衬底上方的所述第一竖直高度处的至少一部分;并且
所述第二互连层结构是与所述多个第一互连层结构和所述多个第三互连层结构水平分离的导电结构。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中:
所述多个第一互连层结构是彼此水平分离并且在所述第二方向上纵向延伸的导电结构;
所述多个第三互连层结构是彼此水平分离并且在所述第二方向上纵向延伸的导电结构;以及
所述第二互连层结构是与所述多个第一互连层结构和所述多个第三互连层结构水平分离并且在所述第一方向上纵向延伸的导电结构。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其中:
所述第一发光结构至所述第四发光结构中的每一个包括第一导电氮化物半导体层、所述第一导电氮化物半导体层上方的有源层以及所述有源层上方的第二导电氮化物半导体层;
所述多个第一互连层结构中的每一个将所述第一发光结构的第一导电氮化物半导体层电连接至所述第二发光结构的第二导电氮化物半导体层;
所述第二互连层结构将所述第二发光结构的第一导电氮化物半导体层电连接至所述第三发光结构的第二导电氮化物半导体层;以及
所述多个第三互连层结构中的每一个将所述第三发光结构的第一导电氮化物半导体层电连接至所述第四发光结构的第二导电氮化物半导体层。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其中,所述多个第一互连层结构在所述第一方向上彼此间隔开,并且所述多个第三互连层结构在所述第一方向上彼此间隔开。
6.根据权利要求4所述的发光装置,其中,所述第二互连层结构连接至所述第二发光结构的第一导电氮化物半导体层和所述第三发光结构的第二导电氮化物半导体层中的每一个的至少两个部分。
7.根据权利要求4所述的发光装置,还包括:
多个第一电极,其形成为电连接至所述第一发光结构的第二导电氮化物半导体层;以及
多个第二电极,其形成为电连接至所述第四发光结构的第一导电氮化物半导体层;
其中,所述多个第一电极中的每一个的水平宽度小于所述第一发光结构的第一导电氮化物半导体层的水平宽度,并且,
其中,所述多个第二电极中的每一个的水平宽度小于所述第四发光结构的第一导电氮化物半导体层的水平宽度。
8.根据权利要求7所述的发光装置,其中,所述多个第一电极和所述多个第二电极中的每个电极与对应的第二导电氮化物半导体层竖直地重叠,并且所述多个第一电极和所述多个第二电极中的每一个的整体与其相应的第二导电氮化物半导体层竖直地重叠。
9.根据权利要求7所述的发光装置,其中,所述多个第一电极布置在所述第一发光结构和所述第二发光结构的第二导电氮化物半导体层上方,并且所述多个第二电极布置在所述第三发光结构和所述第四发光结构的第二导电氮化物半导体层上方。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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