[发明专利]一种防X射线干扰的X射线平板探测器

权利要求书

1.一种防X射线干扰的X射线平板探测器，包括像素矩阵以及外围电路，所述像素矩阵由薄膜光电二极管和薄膜晶体管开关器件组成，其特征在于，所述薄膜晶体管开关器件上方设置有用于屏蔽X射线的防护层。

2.根据权利要求1所述的一种防X射线干扰的X射线平板探测器，其特征在于，所述外围电路包括偏置电压导线、薄膜晶体管驱动导线、信号读取导线以及驱动芯片和信号读取芯片。

3.根据权利要求1所述的一种防X射线干扰的X射线平板探测器，其特征在于，所述防护层包括一层薄膜，或者，包括多层不同薄膜的组合。

4.根据权利要求1所述的一种防X射线干扰的X射线平板探测器，其特征在于，所述防护层的厚度范围为0.1微米至10微米。

5.根据权利要求3所述的一种防X射线干扰的X射线平板探测器，其特征在于，所述防护层包括重金属薄膜。

6.根据权利要求5所述的一种防X射线干扰的X射线平板探测器，其特征在于，所述防护层包括金属钨薄膜。

7.根据权利要求4所述的一种防X射线干扰的X射线平板探测器，其特征在于，所述防护层是通过物理沉积或化学沉积方法得到的膜层。

8.根据权利要求1所述的一种防X射线干扰的X射线平板探测器，其特征在于，所述薄膜晶体管开关器件被钝化层保护，所述防护层位于所述钝化层上方。

9.根据权利要求1所述的一种防X射线干扰的X射线平板探测器，其特征在于，所述X射线平板探测器还包括闪烁晶体薄膜层，所述防护层设置在所述闪烁晶体薄膜层之上，或者，所述防护层设置在所述闪烁晶体薄膜层之下。

10.根据权利要求1～9所述的一种防X射线干扰的X射线平板探测器，其特征在于，所述X射线平板探测器包括静态胸透X射线平板探测器、乳腺X射线平板探测器、动态X射线平板探测器、CMOS器件X射线平板探测器、安检用平板探测器以及工业探伤用X射线平板探测器之一。