[发明专利]一种防X射线干扰的X射线平板探测器在审
申请号: | 201910240989.6 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN109841642A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 杨志;刘一剑;曾敏;周志华;苏言杰;胡南滔;张亚非 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/12 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 陆黎明 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防护层 薄膜晶体管开关 像素矩阵 防X射线 二极管 高能X射线 薄膜光电 电子器件 使用寿命 外围电路 噪声干扰 钨金属 有效地 屏蔽 优选 薄膜 优化 | ||
本发明公开了一种防X射线干扰的X射线平板探测器,包括像素矩阵以及外围电路。像素矩阵由薄膜光电二极管和薄膜晶体管开关器件组成,其中薄膜晶体管开关器件上方设置有用于屏蔽X射线的防护层,防护层优选钨金属薄膜。本发明的有益效果:本发明将电子器件优化为带有防护层的器件,有效地降低了高能X射线对器件的影响,减少了器件的噪声干扰,并且提高了器件的使用寿命。
技术领域
本发明涉及一种防X射线干扰的X射线平板探测器,特别是涉及该X射线平板探测器中薄膜晶体管(TFT)器件的X射线防护薄膜,如该防护薄膜的材料、位置和厚度等。
背景技术
自从19世纪初伦琴发现了X射线开始,X射线就被广泛应用于人体的透视拍照。X射线摄影技术是医学诊疗中普遍使用的诊断辅助方法,在现代医学中起到举足轻重的作用。投照到人体上的均匀X射线一部分被人体吸收和散射,另一部分穿过人体沿原方向传播。由于人体各种组织和器官在密度、厚度等方面存在差异,对投照在其上的X射线的吸收量也各不同,因此将图像信息以不同的X射线强度的形式传递给探测器。
X射线是一种高能的射线,X射线管、磁控管和速调管等是X射线源的产生装置,其通过电流中的电子加速,高速轰击重金属靶材并放射出X射线。X射线的高能粒子对物质具有很强的穿透作用,并可能会对探测装置造成不可修复的损伤作用,因此需要做X射线的防护。在现有的电子器件中,X射线对电子设备有很大的影响,这极大地降低了电子元器件的使用寿命。
X射线平板探测器是一种精密的电子探测仪器,尤其是现在已经实现数字化的X射线平板探测器,其中包含有大量的薄膜光电二极管和薄膜三极管器件。在一个X射线平板探测器中,薄膜晶体管数量为数百万乃至上千万个。这些电子器件是由电子半导体薄膜组成的,很容易受到X射线的影响,大大地减少X射线平板探测器的使用寿命。
发明内容
本发明的目的是为了解决高能X射线对X射线平板探测器的TFT器件的影响,减少信号噪声,提高X射线平板探测器中TFT器件的使用寿命。
为了实现上述目的,本发明将X射线平板探测器中TFT器件加一层防X射线的防护层薄膜,通过合适的防护层来减少高能X射线对小电流信号的影响,同时提高TFT器件的使用寿命。具体技术方案如下:
一种防X射线干扰的X射线平板探测器,包括像素矩阵以及外围电路。像素矩阵由薄膜光电二极管和薄膜晶体管开关器件组成,其中在薄膜晶体管开关器件上设置有用于屏蔽X射线的金属防护层。
进一步地,外围电路包括偏置电压导线、薄膜晶体管驱动导线、信号读取导线、驱动芯片和信号读取芯片。
进一步地,防护层包括一层薄膜或者包括多层不同薄膜的组合。
进一步地,防护层的厚度范围为0.1微米至10微米。
进一步地,防护层包括重金属薄膜。
进一步地,防护层包括金属钨薄膜。
进一步地,防护层是通过物理沉积或化学沉积方法得到的膜层。
进一步地,薄膜晶体管开关器件被钝化层保护,且防护层位于钝化层上。
进一步地,X射线平板探测器还包括闪烁晶体薄膜层,防护层设置在闪烁晶体薄膜层之上,或者,防护层设置在闪烁晶体薄膜层之下。
进一步地,X射线平板探测器包括静态胸透X射线平板探测器、乳腺X射线平板探测器、动态X射线平板探测器、CMOS器件X射线平板探测器、安检用平板探测器以及工业探伤用X射线平板探测器之一。
本发明的有益效果:本发明将X射线平板探测器中的电子器件优化为带有防护层的器件,有效地降低了高能X射线对这些器件的影响,减少了器件的噪声干扰,且提高了器件的使用寿命。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的