[发明专利]基板处理系统及求出气体流量的方法有效
申请号: | 201910242299.4 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN110323158B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 实吉梨沙子;纲仓纪彦;三浦和幸;矢崎洋;庄司康博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01F1/34 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 任玉敏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 求出 气体 流量 方法 | ||
1.一种基板处理系统中求出气体流量的方法,其中,
基板处理系统具备:
基板处理装置;
测定装置,构成为测定在所述基板处理装置中使用的气体的流量;
第1控制部,构成为控制所述基板处理装置及测定装置;及
配线,连接于所述第1控制部,
所述基板处理装置具备:
腔室;
气体供给部,构成为向所述腔室的内部空间供给气体;及
排气装置,经由排气流路连接于所述腔室的所述内部空间,
该气体供给部具有:
流量控制器;
初级阀,连接于所述流量控制器的初级侧;
次级阀,连接于所述流量控制器的次级侧;及
第1气体流路,包括第1端部、第2端部及第3端部,该第1端部连接于所述次级阀,该第3端部经由开闭阀连接于所述腔室的所述内部空间,
所述第1控制部构成为控制所述初级阀及所述次级阀各自的开闭,对所述流量控制器指定气体的流量,指示所述测定装置测定该气体的流量,
所述测定装置具备:
第2气体流路,包括第4端部及第5端部,该第4端部连接于所述气体供给部的所述第2端部;
第3气体流路,具有第6端部及第7端部;
第1阀,连接于所述第2气体流路的所述第5端部与所述第3气体流路的所述第6端部之间;
第2阀,连接于所述第3气体流路的所述第7端部且设置为能够连接于所述排气装置;
一个以上的压力传感器,构成为测定所述第3气体流路内的压力;
温度传感器,构成为测定所述第3气体流路内的温度;及
第2控制部,构成为,控制所述第1阀及所述第2阀各自的开闭,根据来自所述第1控制部的指示执行所述流量的测定,
所述第1控制部构成为经由所述配线输出电压以打开所述次级阀,
所述测定装置包括设置于所述配线上的继电器,
所述第2控制部构成为控制该继电器,
该方法包括:
在从所述流量控制器向所述第1气体流路、所述第2气体流路及所述第3气体流路供给气体时,在所述次级阀与所述第2阀关闭、所述第1阀打开的第1状态下,使用所述一个以上的压力传感器获取所述第3气体流路内的压力的测定值P11的工序;
在从所述流量控制器向所述第1气体流路、所述第2气体流路及所述第3气体流路供给气体时,通过由所述第2控制部进行的控制形成所述第2阀关闭的第2状态,由此使所述第1气体流路、所述第2气体流路及所述第3气体流路中的压力上升的工序;
在执行使压力上升的所述工序之后,通过由所述第2控制部进行的所述继电器的控制,形成所述次级阀关闭的第3状态的工序;
在所述第3状态下,使用所述一个以上的压力传感器及所述温度传感器,获取所述第3气体流路内的压力的测定值P12及该第3气体流路内的温度的测定值T12的工序;及
在所述第2控制部中,利用所述测定值P12与所述测定值P11之差除以使压力上升的所述工序的执行期间的时长而得的值和所述测定值T12,计算在使压力上升的所述工序中从所述流量控制器输出的所述气体的流量的工序,
所述时长为从形成所述第2状态的时刻至通过所述第2控制部控制所述继电器以形成所述第3状态的时刻为止的时长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造