[发明专利]光罩及使用其的光微影方法有效
申请号: | 201910244279.0 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN110955111B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 廖啟宏;杨岳霖 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F1/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 光微影 方法 | ||
1.一种光罩,其特征在于,包含:
一基板,具有一第一表面及一第二表面;
一光反射结构,位于该基板的该第一表面上;
一图案化层,位于该光反射结构上;
多个凸块,位于该基板的该第二表面上,其中该基板及该多个凸块是由低热膨胀系数材料形成的一体式元件,其中多个空隙形成于该多个凸块之间且该多个凸块沿远离该基板的该第二表面的一方向突出,该多个凸块由该多个空隙中的该基板的该第二表面的多个平坦区域相互连结,该多个凸块呈同心圈分布,并且该多个凸块中的各凸块之间的一宽度介于1毫米与3毫米之间;以及
一保护层,覆盖于该多个凸块并暴露该基板的该第二表面的该多个平坦区域。
2.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块以一大致上相同的间距彼此分离。
3.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块的一间距与该光罩的一厚度的一比值的范围在1/10与3/5之间。
4.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块具有大致上相同的高度。
5.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块中的每一者的一高度与该光罩的一厚度的一比值的范围在1/20与1/5之间。
6.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块中的每一者是大致上相对于该基板的该第二表面的法线呈对称。
7.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块具有大致上相同的宽度。
8.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块中的每一者的一高度与该多个凸块中的每一者的一宽度的一比值的范围在1与1/6之间。
9.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块中的至少一者的横截面为三角形。
10.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块中的至少一者的横截面为矩形。
11.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块中的至少一者的横截面为具有一个圆头尖端的条带。
12.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该保护层的一厚度的范围在5纳米与35纳米之间。
13.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该保护层包含硼化钽。
14.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块中的每一者具有一下部部分,其连接至该多个凸块中的另一者的该下部部分。
15.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,其中该多个凸块中的各凸块的该宽度大于各凸块的一高度。
16.一种光罩,其特征在于,包含:
一基板,具有相对的一第一表面及一第二表面,以及位于该基板的该第二表面中的多个凹槽;
一光反射结构;
一第一凸块和一第二凸块,从该基板的该第二表面突出,其中该第一凸块及该第二凸块被该多个凹槽中的至少一凹槽中的该基板的该第二表面的一平坦区域所分隔,该第一凸块及该第二凸块呈同心圈分布,该第一凸块与该第二凸块的一间距介于1毫米与3毫米之间,该光罩的一厚度介于5毫米与10毫米之间,且该第一凸块及该第二凸块的该间距与该光罩的该厚度的一比值介于1/10与3/5之间;
一图案化层,其中该基板及该图案化层分别位于该光反射结构的两个相对侧边上,且该基板的该第一表面面向该光反射结构;以及
一保护层,覆盖该第一凸块与该第二凸块并暴露该基板的该第二表面的该平坦区域。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备